米6体育平台手机版

ZHCSLY0B August 2022 – October 2023 DRV8962

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DDW|44
- MPDS309B
DDV|44
- MPDS169G

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

DDW|44
- PPTD374

订购信息

6.5 电气特性

典型值都是在 T_A = 25°C 且 V_VM = 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源电压（VM、DVDD）
I_VM	VM 工作电源电流	nSLEEP = 1，无负载，VCC = 外部 5 V		4	7	mA
I_VM	VM 工作电源电流	nSLEEP = 1，无负载，VCC = DVDD		6	9	mA
I_VMQ	VM 睡眠模式电源电流	nSLEEP = 0		3	8	μA
t_SLEEP	睡眠时间	nSLEEP = 0 至睡眠模式	120			μs
t_RESET	nSLEEP 复位脉冲	nSLEEP 低电平至清除故障	20		40	μs
t_WAKE	唤醒时间	nSLEEP = 1 至输出转换		0.85	1.2	ms
t_ON	导通时间	VM > UVLO 至输出转换		0.85	1.3	ms
V_DVDD	内部稳压器电压	无外部负载，6V < V_VM < 65V	4.75	5	5.25	V
V_DVDD	内部稳压器电压	无外部负载，V_VM = 4.5V	4.35	4.45		V
电荷泵（VCP、CPH、CPL）
V_VCP	VCP 工作电压	6 V < V_VM < 65 V		V_VM + 5		V
f_(VCP)	电荷泵开关频率	V_VM > UVLO；nSLEEP = 1		360		kHz
逻辑电平输入（IN1、IN2、IN3、IN4、EN1、EN2、EN3、EN4、MODE、OCPM、nSLEEP）
V_IL	输入逻辑低电平电压		0		0.6	V
V_IH	输入逻辑高电平电压		1.5		5.5	V
V_HYS	输入逻辑迟滞（除 nSLEEP 以外的所有引脚）			100		mV
V_{HYS_nSLEEP}	nSLEEP 逻辑迟滞			300		mV
I_IL	输入逻辑低电平电流	V_IN = 0V	-1		1	μA
I_IH	输入逻辑高电平电流	V_IN = DVDD			50	μA
t₁	ENx 高电平到 OUTx 高电平延迟	INx = 1			2	μs
t₂	ENx 低电平到 OUTx 低电平延迟	INx = 1			2	μs
t₃	ENx 高电平到 OUTx 低电平延迟	INx = 0			2	μs
t₄	ENx 低电平到 OUTx 高电平延迟	INx = 0			2	μs
t₅	INx 高电平到 OUTx 高电平延迟			600		ns
t₆	INx 低电平到 OUTx 低电平延迟			600		ns
控制输出 (nFAULT)
V_OL	输出逻辑低电平电压	I_O = 5mA			0.35	V
I_OH	输出逻辑高电平漏电流		-1		1	μA
电机驱动器输出（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4）
R_DS(ONH)	高侧 FET 导通电阻	T_J = 25°C、I_O = -5A		53	62	mΩ
		T_J = 125°C、I_O = -5A		70	101	mΩ
		T_J = 150°C、I_O = -5A		80	112	mΩ
R_DS(ONL)	低侧 FET 导通电阻	T_J = 25°C、I_O = 5A		53	62	mΩ
		T_J = 125°C、I_O = 5A		70	101	mΩ
		T_J = 150°C、I_O = 5A		80	112	mΩ
t_RF	输出上升/下降时间	I_O = 5A，MODE = 1，介于 10% 和 90% 之间		70		ns
t_RF	输出上升/下降时间	I_O = 5A，MODE = 0，介于 10% 和 90% 之间		140		ns
t_D	输出死区时间	VM = 24V，I_O = 5A		300		ns
电流检测和调节（IPROPI、VREF）
A_IPROPI	电流镜增益			212		μA/A
A_ERR	电流镜比例误差	10% 至 20% 额定电流	-8		8	%
		20% 至 40% 额定电流	-5		5
		40% 至 100% 额定电流	-3.5		3.5
I_VREF	VREF 漏电流	VREF = 3.3V			50	nA
t_OFF	PWM 关断时间			17		μs
t_DEG	电流调节抗尖峰脉冲时间			0.5		μs
t_BLK	电流调节消隐时间			1.5		μs
t_DELAY	电流检测延迟时间			2		μs
保护电路
V_UVLO	VM UVLO 锁定	VM 下降	4.1	4.23	4.35	V
V_UVLO	VM UVLO 锁定	VM 上升	4.2	4.35	4.46	V
VCC_UVLO	VCC UVLO 锁定	VCC 下降	2.7	2.8	2.9	V
VCC_UVLO	VCC UVLO 锁定	VCC 上升	2.8	2.92	3.05	V
V_UVLO,HYS	欠压迟滞	上升至下降阈值		120		mV
V_CPUV	电荷泵欠压	VCP 下降		V_VM + 2		V
I_OCP	过流保护	流经任何 FET 的电流，DDW 封装	8			A
I_OCP	过流保护	流经任何 FET 的电流，DDV 封装	16			A
t_OCP	过流检测延迟			2.2		μs
t_RETRY	过流重试时间			4.1		ms
T_OTSD	热关断	内核温度 T_J	150	165	180	°C
T_{HYS_OTSD}	热关断迟滞	内核温度 T_J		20		°C

图 6-1 IPROPI 时序图