ZHCSLY0B August   2022  – October 2023 DRV8962

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1  概述
    2. 7.2  功能方框图
    3. 7.3  特性说明
    4. 7.4  独立半桥运行
    5. 7.5  电流检测和调节
      1. 7.5.1 电流检测和反馈
      2. 7.5.2 使用外部电阻器进行电流检测
      3. 7.5.3 电流调节
    6. 7.6  电荷泵
    7. 7.7  线性稳压器
    8. 7.8  VCC 电压电源
    9. 7.9  逻辑电平引脚图
    10. 7.10 保护电路
      1. 7.10.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.10.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
      3. 7.10.3 逻辑电源上电复位 (POR)
      4. 7.10.4 过流保护 (OCP)
      5. 7.10.5 热关断 (OTSD)
      6. 7.10.6 nFAULT 输出
      7. 7.10.7 故障条件汇总
    11. 7.11 器件功能模式
      1. 7.11.1 睡眠模式
      2. 7.11.2 工作模式
      3. 7.11.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 7.11.4 功能模式汇总
  9. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 驱动螺线管负载
        1. 8.1.1.1 螺线管驱动器典型应用
        2. 8.1.1.2 热计算
          1. 8.1.1.2.1 功率损耗计算
          2. 8.1.1.2.2 结温估算
        3. 8.1.1.3 应用性能曲线图
      2. 8.1.2 驱动步进电机
        1. 8.1.2.1 步进驱动器典型应用
        2. 8.1.2.2 功率损耗计算
        3. 8.1.2.3 结温估算
      3. 8.1.3 驱动有刷直流电机
        1. 8.1.3.1 有刷直流驱动器典型应用
        2. 8.1.3.2 功率损耗计算
        3. 8.1.3.3 结温估算
        4. 8.1.3.4 驱动单个有刷直流电机
      4. 8.1.4 驱动热电冷却器 (TEC)
      5. 8.1.5 驱动无刷直流电机
  10. 封装散热注意事项
    1. 9.1 DDW 封装
      1. 9.1.1 热性能
        1. 9.1.1.1 稳态热性能
        2. 9.1.1.2 瞬态热性能
    2. 9.2 DDV 封装
    3. 9.3 PCB 材料推荐
  11. 10电源相关建议
    1. 10.1 大容量电容
    2. 10.2 电源
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

结温估算

如果已知环境温度 TA 和总功率损耗 (PTOT),则结温 (TJ) 的计算公式为:

TJ = TA + (PTOT x RθJA)

在一个符合 JEDEC 标准的 4 层 PCB 中,采用 DDW 封装时的结至环境热阻 (RθJA) 为 22.2°C/W。

假设环境温度为 25°C,则采用 DDW 封装时的结温计算如下:

方程式 19. TJ = 25°C + (3.458W x 22.2 °C/W) = 101.8 °C

如需更准确地计算该值,请考虑典型工作特性部分所示的器件结温对 FET 导通电阻的影响。

例如,

  • 在 101.8 °C 结温下,与 25°C 时的导通电阻相比,导通电阻可能会增加 1.35 倍。

  • 导通损耗的初始估算值为 2.65W。

  • 因此,导通损耗的新估算值为 2.65W × 1.35 = 3.58W。

  • 因此,总功率损耗的新估算值为 4.388W。

  • 采用 DDW 封装时的结温新估算值为 122.4 °C。

  • 如进行进一步的迭代,则不太可能显著增加结温估算值。

使用 DDV 封装时,如果选择热阻小于 4°C/W 的散热器,则结至环境热阻可低于 5°C/W。因此,在此应用中,采用 DDV 封装时的结温的初始估算值为:

方程式 18. TJ = 25°C + (3.458W x 5 °C/W) = 42.3 °C

由于 DDV 封装会产生低热阻,因此它可以提供 10A 满量程电流。