ZHCSR82 November   2022 ESD2CANFD24

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 Revision History
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - JEDEC 规格
    3. 6.3 ESD 等级 - IEC 规格
    4. 6.4 建议运行条件
    5. 6.5 热性能信息
    6. 6.6 电气特性
    7. 6.7 Typical Characteristics – ESD2CANFD24
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Temperature Range
      2. 7.3.2 IEC 61000-4-2 ESD Protection
      3. 7.3.3 IEC 61000-4-5 Surge Protection
      4. 7.3.4 IO Capacitance
      5. 7.3.5 Dynamic Resistance
      6. 7.3.6 DC Breakdown Voltage
      7. 7.3.7 Ultra Low Leakage Current
      8. 7.3.8 Clamping Voltage
      9. 7.3.9 Industry Standard Leaded Packages
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11Device and Documentation Support
    1. 11.1 Documentation Support
      1. 11.1.1 Related Documentation
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 Trademarks
    5. 11.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 11.6 术语表
  12. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 电气特性

在 TA = 25°C 条件下（除非另有说明）(1)
参数 测试条件 器件 最小值 典型值 最大值 单位
VRWM 反向关断电压 ESD2CANFD24 –24 24 V
VBRF 击穿电压(2) IIO = 10mA、IO 至 GND ESD2CANFD24 25.5 35.5 V
VBRR 击穿电压(2) IIO = –10mA、IO 至 GND ESD2CANFD24 -35.5 -25.5 V
VCLAMP 钳位电压(3) IPP = 3.5A，tp = 8/20µs，IO 到 GND ESD2CANFD24 37 V
VCLAMP 钳位电压(4) IPP = 16A、TLP、IO 至 GND 或 GND 至 IO ESD2CANFD24 36 V
ILEAK 漏电流 VIO = ±24V、IO 至 GND ESD2CANFD24 -50 5 50 nA
RDYN 动态电阻(4) IO 至 GND 或 GND 至 IO ESD2CANFD24 0.45 Ω
CL 线路电容(6) VIO = 0V、f = 1MHz、Vpp = 30mV ESD2CANFD24 2.5 4.2 pF
VHold 快速复位后的保持电压 TLP ESD2CANFD24 30 V
(1) 在每个 IO 通道上进行的测量
(2) VBRF 和 VBRR 被定义为在器件锁存到快速复位状态之前，分别在正向和负向方向上施加 ±10mA 的电压
(3) 根据 IEC 61000-4-5 器件承受 8/20μs 指数衰减波形的应力
(4) 非重复电流脉冲、传输线路脉冲 (TLP)；方波脉冲；ANSI / ESD STM5.5.1-2008
(5) 在每个通道上从 IO 测量到 GND
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