ZHCSXD3 November 2024 ESD501
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
VRWM | 反向关断电压 | IIO < 10nA | -12 | 12 | V | |
ILEAK | VRWM 下的漏电流 | VIO = ±12V,I/O 至 GND | 1 | 10 | nA | |
VBR | 击穿电压,I/O 至 GND (1) | IIO = ±1mA | 13.2 | 15 | 18 | V |
VCLAMP | 浪涌钳位电压,tp = 8/20µs (2) | IPP = 3A,I/O 至 GND | 23 | V | ||
IPP = 3A,GND 至 I/O | 23 | V | ||||
TLP 钳位电压,tp = 100ns(3) | IPP = ±4A (100ns TLP),I/O 至 GND | 19.4 | V | |||
IPP = ±16A (100ns TLP),I/O 至 GND | 27 | V | ||||
RDYN | 动态电阻 (4) | I/O 至 GND | 0.6 | Ω | ||
GND 至 I/O | 0.6 | |||||
CLINE | 输入电容,IO 至 GND | VIO = 0V,f = 1MHz | 0.3 | 0.5 | pF |