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ZHCSTR1 November 2023 ESD852 , ESD862

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

DBZ|3

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

5.6 电气特性

在 T_A = 25°C 条件下（除非另有说明）⁽¹⁾

参数		测试条件	器件	最小值	典型值	最大值	单位
V_RWM	反向关断电压			–36		36	V
V_BRF	正向击穿电压⁽¹⁾⁽²⁾	I_IO = 10mA、IO 至 GND		37.8	40	44.2	V
V_BRR	反向击穿电压⁽¹⁾⁽²⁾	I_IO = –10mA、IO 至 GND		-44.2	-40	-37.8	V
V_CLAMP	钳位电压⁽³⁾	I_PP = 1A，t_p = 8/20µs，IO 至 GND	ESD852		43		V
		I_PP = 4.3A，t_p = 8/20µs，从 IO 到 GND	ESD852		61		V
		I_PP = 1A，t_p = 8/20µs，从 IO 到 GND	ESD862		47		V
		I_PP = 3.1A，t_p = 8/20µs，从 IO 到 GND	ESD862		61		V
V_CLAMP	钳位电压⁽³⁾	IPP = 16A，TLP，IO 至 GND 或 GND 至 IO	ESD852		63		V
V_CLAMP	钳位电压⁽³⁾	IPP = 16A，TLP，IO 至 GND 或 GND 至 IO	ESD862		64		V
I_LEAK	漏电流	V_IO = ±36V、IO 至 GND			5	50	nA
R_DYN	动态电阻⁽⁴⁾	IO 至 GND 和 GND 至 IO	ESD852		0.49		Ω
R_DYN	动态电阻⁽⁴⁾	IO 至 GND 和 GND 至 IO	ESD862		0.49		Ω
C_L	线路电容⁽¹⁾	V_IO = 0V、f = 1MHz、V_pp = 30mV	ESD852		2.8	3.5	pF
C_L	线路电容⁽¹⁾	V_IO = 0V、f = 1MHz、V_pp = 30mV	ESD862		2.6	2.9	pF

(1) 在每个通道上从 IO 测量到 GND。

(2) V_BRF 和 V_BRR 定义为分别在正或负方向上施加 ±10mA 时的电压。

(3) 根据 IEC 61000-4-5 器件承受 8/20μs 指数衰减波形的应力。

(4) 非重复电流脉冲、传输线路脉冲 (TLP)；方波脉冲；ANSI / ESD STM5.5.1-2008

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