ZHCSVR7 April 2024 ESDS452-Q1
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向关断电压 | IIO < 50nA | -5.5 | 5.5 | V | |
| ILEAK | VRWM 下的漏电流 | VIO = ±5.5V，I/O 至 GND 和 GND 至 I/O | 1 | 50 | nA | |
| VBR | 击穿电压，I/O 至 GND (1) | IIO = ±1mA | 7 | 8 | 9 | V |
| VCLAMP | 浪涌钳位电压，tp = 8/20µs (2) | IPP = ±1A，I/O 至 GND | 7.5 | 10 | V | |
| VCLAMP | 浪涌钳位电压，tp = 8/20µs (2) | IPP = ±15A，I/O 至 GND | 11.5 | 14 | V | |
| VCLAMP | TLP 钳位电压，tp = 100ns(3) | IPP = ±16A，I/O 至 GND | 9.6 | V | ||
| RDYN | 动态电阻 (4) | I/O 至 GND | 0.29 | Ω | ||
| GND 至 I/O | 0.29 | |||||
| CLINE | 输入电容，IO 至 GND | VIO = 0V，f = 1MHz | 3 | 5 | pF | |