ZHCSFC4D december   2015  – september 2020 HD3SS3220

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
      1. 7.1.1 电缆、适配器和直接连接器件
        1. 7.1.1.1 USB Type-C 插座和插头
        2. 7.1.1.2 USB Type-C 电缆
        3. 7.1.1.3 传统电缆和适配器
        4. 7.1.1.4 直接连接器件
        5. 7.1.1.5 音频适配器
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  DFP/供电端 – 下行端口
      2. 7.3.2  UFP/受电端 – 上行端口
      3. 7.3.3  DRP – 双角色端口
      4. 7.3.4  电缆方向和多路复用器控制
      5. 7.3.5  Type-C 电流模式
      6. 7.3.6  附件支持
      7. 7.3.7  音频附件
      8. 7.3.8  调试附件
      9. 7.3.9  针对有源电缆提供 VCONN 支持
      10. 7.3.10 I2C 和 GPIO 控制
      11. 7.3.11 HD3SS3220 V(BUS) 检测
      12. 7.3.12 VDD5 和 VCC33 上电要求
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 未连接模式
      2. 7.4.2 工作模式
      3. 7.4.3 电池无电
      4. 7.4.4 关断模式
    5. 7.5 编程
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 器件标识寄存器（偏移 = 0x07 至 0x00）[复位 = 0x00、0x54、0x55、0x53、0x42、0x33、0x32、0x32]
      2. 7.6.2 连接状态寄存器（偏移 = 0x08）[复位 = 0x00]
      3. 7.6.3 连接状态和控制寄存器（偏移 = 0x09）[复位 = 0x20]
      4. 7.6.4 通用控制寄存器（偏移 = 0x0A）[复位 = 0x00]
      5. 7.6.5 器件修订版本寄存器（偏移 = 0xA0）[复位 = 0x02]
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用，DRP 端口
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 典型应用，DFP 端口
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计过程
      4. 8.2.4 典型应用，UFP 端口
        1. 8.2.4.1 设计要求
        2. 8.2.4.2 详细设计过程
  10.   电源相关建议
  11. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
      1. 9.1.1 建议的 PCB 堆叠
      2. 9.1.2 高速信号布线长度匹配
      3. 9.1.3 差分信号间距
      4. 9.1.4 高速差分信号规则
      5. 9.1.5 差分对的对称性
      6. 9.1.6 过孔不连续性缓解
      7. 9.1.7 表面贴装器件焊盘不连续性缓解
      8. 9.1.8 ESD/EMI 注意事项
    2. 9.2 布局
  12. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 社区资源
    3. 10.3 商标
  13. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.4 热性能信息

热指标(1)HD3SS3220单位
RNH (VQFN)
30 引脚
RθJA 结至环境热阻60.9°C/W
RθJC(top)结至外壳（顶部）热阻50.4°C/W
RθJB结至电路板热阻22.8°C/W
ψJT结至顶部特征参数1.7°C/W
ψJB结至电路板特征参数22.6°C/W
RθJC(bot)结至外壳（底部）热阻12.1°C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用报告。
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