ZHCSIA1C May   2018  – July 2021 HDC2080

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 说明（续）
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 开关特性
    7. 7.7 时序图
    8. 7.8 典型特性
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 睡眠模式功耗
      2. 8.3.2 测量模式：按需触发与自动测量
      3. 8.3.3 加热器
      4. 8.3.4 中断说明
        1. 8.3.4.1 DRDY
      5. 8.3.5 阈值中断
        1. 8.3.5.1 温度高
        2. 8.3.5.2 温度低
        3. 8.3.5.3 湿度高
        4. 8.3.5.4 湿度低
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 睡眠模式与测量模式
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 I2C 串行总线地址配置
      2. 8.5.2 I2C 接口
      3. 8.5.3 串行总线地址
      4. 8.5.4 读写操作
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1  地址 0x00 温度 LSB
      2. 8.6.2  地址 0x01 温度 MSB
      3. 8.6.3  地址 0x02 湿度 LSB
      4. 8.6.4  地址 0x03 湿度 MSB
      5. 8.6.5  地址 0x04 中断 DRDY
      6. 8.6.6  地址 0x05 温度 MAX
      7. 8.6.7  地址 0x06 湿度 MAX
      8. 8.6.8  地址 0x07 中断配置
      9. 8.6.9  地址 0x08 温度偏移调整
      10. 8.6.10 地址 0x09 湿度偏移调整
      11. 8.6.11 地址 0x0A 温度阈值低
      12. 8.6.12 地址 0x0B 温度阈值高
      13. 8.6.13 地址 0x0C 湿度阈值低
      14. 8.6.14 地址 0x0D 湿度阈值高
      15. 8.6.15 地址 0x0E 复位和 DRDY/INT 配置寄存器
      16. 8.6.16 地址 0x0F 测量配置
      17. 8.6.17 制造商 ID 低
      18. 8.6.18 制造商 ID 高
      19. 8.6.19 器件 ID 低
      20. 8.6.20 器件 ID 高
  9. 9  应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 HDC2080 存储和 PCB 组装指南
        1. 11.1.1.1 储存和处理
        2. 11.1.1.2 回流焊
        3. 11.1.1.3 返工
        4. 11.1.1.4 高温度和湿度暴露
        5. 11.1.1.5 烘烤/再水合程序
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.4 热性能信息

热指标(1) HDC2080 单位
WSON (DMB)
6 引脚
RθJA 结至环境热阻 56.4 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 73.6 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 24.0 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 3.8 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 24.0 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 13.0 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标应用报告。
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