ZHCSI40F April 2018 – October 2024 INA181-Q1 , INA2181-Q1 , INA4181-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
增加一小部分电路,便可在瞬态电压大于 26V 的电路中(例如汽车应用)使用 INAx181-Q1。只使用齐纳二极管或者齐纳类型瞬态吸收器(有时称为 transorb);任何其他类型的瞬态吸收器均有无法接受的延迟时间。首先添加一对用作齐纳二极管工作阻抗的电阻器。请参阅图 8-9请使用尽可能小的电阻器,通常为 10Ω 左右。使用较大的电阻器会对增益产生影响,信号滤波 部分对此进行了讨论。该电路仅限制短期瞬态;因此,使用 10Ω 电阻器以及最低额定功率可接受的常规齐纳二极管可满足许多应用的需求。这个组合使用最少的电路板空间。这些二极管可在小至小外形尺寸晶体管封装 (SOT)-523 或者小外形尺寸二极管封装 (SOD)-523 的封装中找到。
如果低功率齐纳二极管的瞬态吸收能力无法满足需求,必须使用功率更高的瞬态吸收器。更为高效的封装解决方案是在器件的输入端之间使用单个瞬态吸收器和背对背二极管,如图 8-10 所示。最节省空间的解决方案是在 SOT-523 封装或 SOD-523 封装中使用两个串联二极管。在图 8-9 和图 8-10 所示的示例中,带有所有保护元件的 INAx181-Q1 所需的总电路板面积小于 SO-8 封装的面积,且仅略大于 MSOP-8 封装的面积。
如需更多信息,请参阅具有瞬态稳定性的电流分流监测器 参考设计。