借助少量的附加电路，INA186-Q1 可用于承受的瞬态电压超过绝对最大额定电压的电路中。保护输入免受瞬态负压影响的最简单方法是添加与 IN– 和 IN+ 引脚串联的电阻器。使用 1kΩ 或更小的电阻器，并将 ESD 结构中的电流限制在 5mA 以下。例如，将 1kΩ 电阻器与 INA186-Q1 串联，可允许电压低至 -5V，同时将 ESD 电流限制在 5mA 以下。如果需要防护高电压正或负共模瞬态电压，则使用图 8-4 和图 8-5 所示的电路。实现这些电路时，仅使用齐纳二极管或齐纳型瞬态吸收器（有时也称为瞬态吸收器）；因为任何其他类型的瞬态吸收器都有不可接受的延时时间。首先添加一对用作齐纳二极管工作阻抗的电阻器（请参阅图 8-4）。请使用尽可能小的电阻器，通常为 100Ω 左右。对于使用多大的阻值会对增益产生影响，请参阅Topic Link Label8.1.3。该电路仅限制短期瞬态；因此，使用 100Ω 电阻器以及最低可接受额定功率的常规齐纳二极管可满足许多应用的要求。这个组合使用最少的电路板空间。这些二极管可使用小型的
SOT-523 或 SOD-523 封装。

图 8-4 使用双齐纳二极管的瞬变保护

如果低功率齐纳二极管的瞬态吸收能力无法满足需求，必须使用功率更高的瞬态吸收器。更为高效的封装解决方案是在器件的输入端之间使用单个瞬态吸收器和背对背二极管，如图 8-5 所示。最节省空间的解决方案是在 SOT-523 封装或 SOD-523 封装中使用两个串联二极管。在图 8-4 和图 8-5 所示的任一示例中，带有所有保护元件的 INA186-Q1 所需的总电路板面积小于 SO-8 封装的面积，而且仅略微大于 VSSOP-8 封装的面积。

图 8-5 使用单个瞬态吸收器和输入钳位进行瞬态保护

如需更多信息，请参阅具有瞬态稳定性的电流分流监测器 参考设计。