米6体育平台手机版

ZHCSJL2B April 2019 – July 2021 INA186

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

YFD|6
- MXBG101E
DCK|6
- MPDS114E
DDF|8
- MPDS569D

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

6.5 电气特性

T_A = 25°C，V_SENSE = V_IN+ – V_IN–，V_S = 1.8V 至 5.0V，V_IN+ = 12V，V_REF = V_S/2，且 V_ENABLE = V_S（除非另有说明）

参数		条件	最小值	典型值	最大值	单位
输入
CMRR	共模抑制比	V_SENSE = 0mV，V_IN+ = –0.1V 至 40V，T_A = –40°C 至 +125°C	120	150		dB
V_OS	失调电压，RTI⁽¹⁾	V_S = 1.8V，V_SENSE = 0mV		-3	±50	µV
dV_OS/dT	温漂，RTI	V_SENSE = 0V，T_A = –40°C 至 +125°C		0.05	0.5	µV/°C
PSRR	电源抑制比，RTI	V_SENSE = 0mV，V_S = 1.7V 至 5.5V		-1	±10	µV/V
I_IB	输入偏置电流	V_SENSE = 0mV		0.5	3	nA
I_IO	输入失调电流	V_SENSE = 0mV		±0.07		nA
输出
G	增益	A1 器件		25		V/V
		A2 器件		50
		A3 器件		100
		A4 器件		200
		A5 器件		500
E_G	增益误差	V_OUT = 0.1 V 至 V_S – 0.1 V		-0.04%	±1%
	增益误差漂移	T_A=-40°C 至 +125°C		2	10	ppm/°C
	非线性误差	V_OUT = 0.1 V 至 V_S – 0.1 V		±0.01%
RVRR	基准电压抑制比	V_REF = 100mV 至 V_S – 100mV， T_A = –40°C 至 +125°C		±2	±10	µV/V
	最大容性负载	无持续振荡		1		nF
电压输出
V_SP	相对于 V_S 电源轨的摆幅	V_S = 1.8V，R_L = 10kΩ 至 GND，T_A = –40°C 至 +125°C		(V_S) – 20	(V_S) – 40	mV
V_SN	到 GND 的摆幅	V_S = 1.8V，R_L = 10kΩ 至 GND，T_A = –40°C 至 +125°C， V_SENSE = –10mV，V_REF = 0V		(V_GND)+0.05	(V_GND)1	mV
V_ZL	零电流输出电压	V_S = 1.8V，R_L = 10kΩ 至 GND， T_A = –40°C 至 +125°C，V_SENSE = 0mV，V_REF = 0V		(V_GND)2	(V_GND)10	mV
频率响应
BW	带宽	A1 器件，C_LOAD = 10pF		45		kHz
		A2 器件，C_LOAD = 10pF		37
		A3 器件，C_LOAD = 10pF		35
		A4 器件，C_LOAD = 10pF		33
		A5 器件，C_LOAD = 10pF		27
SR	压摆率	V_S = 5.0V，V_OUT = 0.5V 至 4.5V		0.3		V/µs
t_S	趋稳时间	从电流阶跃到最终值的 1% 以内		30		µs
噪声，RTI⁽¹⁾
	电压噪声密度			75		nV/√Hz
ENABLE
I_EN	输入漏电流	0V ≤ V_ENABLE ≤ V_S		1	100	nA
V_IH	高电平输入电压	DDF 封装	0.7 × V_S		6	V
V_IL	低电平输入电压		0		0.3 × V_S	V
V_HYS	Hysteresis			300		mV
V_IH	高电平输入电压	YFD 封装	1.35		5.5	V
V_IL	低电平输入电压		0		0.4	V
V_HYS	迟滞			100		mV
I_ODIS	输出泄漏已禁用	V_S = 5.0V，V_OUT = 0V 至 5.0V，V_ENABLE = 0V		1	5	µA
电源
I_Q	静态电流	V_S = 1.8V，V_SENSE = 0mV		48	65	µA
I_Q	静态电流	V_S = 1.8V，V_SENSE = 0mV，T_A = –40°C 至 +125°C			90	µA
I_QDIS	静态电流已禁用	V_ENABLE = 0V，V_SENSE = 0mV		10	100	nA

(1) RTI = 以输入为参考。