通过增加一小部分电路，便可在瞬态电压大于 26V 的电路中（例如汽车应用）使用 INA199-Q1 系列。仅使用齐纳二极管或齐纳型瞬态吸收器（有时也称为瞬态吸收器）；因为任何其他类型的瞬态吸收器都有不可接受的延时时间。首先添加一对用作齐纳二极管工作阻抗的电阻器，如图 9-5 所示。最好使用尽可能小的电阻器，通常大概是 10Ω。使用较大的电阻器会对增益产生影响，Topic Link Label9.1.2 部分对此进行了讨论。该电路仅限制短期瞬变，因此，使用 10Ω 电阻器以及最低额定功率可实现的常规齐纳二极管可满足许多应用的需求。这个组合使用最少的电路板空间。这些二极管可在小至小外形尺寸晶体管封装 (SOT)-523 或者小外形尺寸二极管封装 (SOD)-523 的封装中找到。更多有关瞬态稳定性和电流分流监测器输入保护的信息，请参阅 TIDA-00302 电流分流监测器的瞬态稳定性 TI 设计 (TIDU473)。

图 9-5 使用双齐纳二极管的 INA199-Q1 瞬态保护

如果低功耗齐纳二极管不具有足够的瞬态吸收能力而必须使用一个更高功耗的瞬变电压抑制器的话，那么最有效封装解决方案是在器件输入之间使用一个单瞬变电压抑制器和背靠背二极管。最有效利用空间的解决方案是在一个单 SOT-523 或者 SOD-523 封装内的双串联二极管。图 9-6 中说明了该方法。在这些示例中，带有所有保护元件的 INA199-Q1 所需的总电路板面积小于 8 引脚 SOIC 封装的面积，且仅略大于 8 引脚 VSSOP 封装的面积。

图 9-6 使用单个瞬态吸收器和输入钳位进行 INA199-Q1 瞬态保护