ZHCSF82E March   2016  – May 2021 INA199-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 零漂移失调电压
      2. 8.3.2 精度
      3. 8.3.3 增益选项选择
    4. 8.4 器件功能模式
  9. 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 基本连接
      2. 9.1.2 输入滤波
      3. 9.1.3 关断 INA199-Q1
      4. 9.1.4 REF 输入阻抗影响
      5. 9.1.5 使用共模瞬态电压大于 26V 的 INA199-Q1
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 单向运行
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 双向运行
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
        3. 9.2.2.3 应用曲线
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

在 TA = 25°C,VS = 5V,VIN+ = 12V,VSENSE = VIN+ – VIN– 且 VREF = VS/2 时测得(除非另有说明)
参数测试条件最小值典型值最大值单位
输入
VCM共模输入电压TA = -40°C 至 +125°C-0.126V
共模抑制 (CMR)共模抑制VIN+ = 0V 至 26V,VSENSE = 0mV,
TA = –40°C 至 +125°C
100120dB
VOS失调电压,RTI(1)VSENSE = 0mV±5±150μV
dVOS/dTVOS 与温度间的关系TA=-40°C 至 +125°C0.10.5μV/°C
PSR电源抑制VS = 2.7V 至 18V,
VIN+ = 18V,VSENSE = 0mV
±0.1μV/V
IB输入偏置电流VSENSE = 0mV28μA
IOS输入失调电流VSENSE = 0mV±0.02μA
输出
G增益INA199x1-Q150V/V
INA199x2-Q1100
INA199x3-Q1200
增益误差VSENSE = –5mV 至 +5mV,
TA = –40°C 至 +125°C
B 版本±0.03%±1.5%
C 版本±0.03%±1%
增益误差与温度间的关系TA = -40°C 至 +125°C310ppm/°C
非线性误差VSENSE=-5 mV 至 +5 mV±0.01%
最大容性负载无持续振荡1nF
电压输出(2)
相对于 V+ 电源轨的摆幅RL = 10kΩ 至 GND,
TA= –40°C 至 +125°C
(V+)-0.05(V+)-0.2V
到 GND 的摆幅RL = 10kΩ 至 GND,
TA= –40°C 至 +125°C
(VGND)+0.005(VGND)+0.05V
频率响应
GBW带宽CLOAD = 10pFINA199x1-Q180kHz
INA199x2-Q130
INA199x3-Q114
SR压摆率0.4V/µs
噪声,RTI(1)
电压噪声密度25nV/√Hz
电源
IQ静态电流VSENSE = 0mV65100µA
IQ(在工作温度范围内)TA = -40°C 至 +125°C115µA
RTI = 以输入为参考。
请参阅有关输出电压摆幅与输出电流间的关系 的典型特性曲线(图 7-6)。