涉及大输入瞬态的应用，在器件的输入引脚上出现大于 2kV 每微秒的过量 dV/dt 时，可能会导致 A 版本器件上的内部 ESD 结构受到损坏。当这个瞬变出现在输入端时，ESD 结构接地的内部锁存会导致这个潜在损害。在有效电流在大多数电流检测应用中可用时，流经输入瞬态触发、接地短路 ESD 结构的电流会快速引起对芯片的损坏。为了避免锁存条件，可以通过外部滤波来衰减到达输入之前的瞬态信号。请务必确保外部串联输入电阻不会显著影响增益误差的精度。为达到精度要求，请尽可能将电阻保持在 10Ω 以下。鉴于铁氧体磁珠固有的低直流电阻值，故建议在此过滤器中使用铁氧体磁珠。建议使用直流电阻小于 10Ω 且 100MHz 至 200MHz 下电阻大于 600Ω 的铁氧体磁珠。该滤波器的推荐电容值介于 0.01µF 和 0.1µF 之间，以确保高频区域有足够的衰减。图 7-7中展示了这个保护方案。再次说明，有关瞬态稳定性和电流分流监测器输入保护的更多信息，请参阅 TIDA-00302 电流分流监测器的瞬态稳定性设计指南（TIDU473）。

图 7-7 瞬态保护

为了更大限度地降低用以在可能会出现较大瞬态信号的应用中保护该器件而增加这些外部元件的成本，B 版和 C 版器件现在可提供不易受到这种锁存条件影响新的 ESD 结构。B 版和 C 版器件不能承受这些引发锁存条件的损坏，所以它们没有 A 版器件所具有的瞬态灵敏度，这就使得 B 版和 C 版器件更适合于这些应用。