ZHCSN47A January   2021  – May 2022 INA228

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求 (I2C)
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 多功能高压测量功能
      2. 7.3.2 内部测量和计算引擎
      3. 7.3.3 低偏置电流
      4. 7.3.4 高精度 Δ-Σ ADC
        1. 7.3.4.1 低延迟数字滤波器
        2. 7.3.4.2 灵活的转换时间和平均值计算
      5. 7.3.5 分流电阻器温漂补偿
      6. 7.3.6 集成精密振荡器
      7. 7.3.7 多警报监控和故障检测
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 上电复位
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
        1. 7.5.1.1 通过 I2C 串行接口写入和读取
        2. 7.5.1.2 高速 I2C 模式
        3. 7.5.1.3 SMBus 警报响应
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 INA228 寄存器
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 器件测量范围和分辨率
      2. 8.1.2 电流、功率、电能和电荷计算
      3. 8.1.3 ADC 输出数据速率和噪声性能
      4. 8.1.4 输入滤波注意事项
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 选择分流电阻
        2. 8.2.2.2 配置器件
        3. 8.2.2.3 对分流校准寄存器进行编程
        4. 8.2.2.4 设置所需的故障阈值
        5. 8.2.2.5 计算返回值
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 11.5 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

在 TA = 25°C，VS = 3.3V，VSENSE = VIN+ – VIN– = 0V，VCM = VIN– = 48V 时测得（除非另有说明）。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
VCM 共模输入范围 TA=-40°C 至 +125°C –0.3 85 V
VVBUS 总线电压输入范围 0 85 V
CMRR 共模抑制 –0.3V < VCM < 85V，TA = –40°C 至 +125°C 154 170 dB
VDIFF 分流电压输入范围 TA = –40°C 至 +125°C，ADCRANGE = 0 -163.84 163.84 mV
TA = –40°C 至 +125°C，ADCRANGE = 1 -40.96 40.96 mV
Vos 分流失调电压 VCM = 48V，TCT > 280µs ±0.3 ±1 µV
VCM = 0V，TCT > 280µs ±0.3 ±1 µV
dVos/dT 分流失调电压偏移 TA=-40°C 至 +125°C ±2 ±10 nV/°C
PSRR 分流失调电压与电源间的关系 VS = 2.7 V 至 5.5V，TA = -40°C 至 +125°C ±0.05 ±0.5 µV/V
Vos_bus VBUS 失调电压 VBUS = 20mV ±1 ±2.5 mV
dVos/dT VBUS 失调电压偏移 TA=-40°C 至 +125°C ±4 ±20 µV/°C
PSRR VBUS 失调电压与电源间的关系 VS=2.7 V 至 5.5 V ±0.25 mV/V
IB 输入偏置电流 任一输入 IN+ 或 IN–，VCM = 85V 0.1 2.5 nA
ZVBUS VBUS 引脚输入阻抗 活动模式 0.8 1 1.2 MΩ
IVBUS VBUS 引脚泄漏电流 关断模式，VBUS = 85V 10 nA
RDIFF 输入差分阻抗 活动模式，VIN+ – VIN– < 164mV 92 kΩ
直流精度
GSERR 分流电压增益误差 VCM = 24V ±0.01 ±0.05 %
GS_DRFT 分流电压增益误差偏移 ±20 ppm/ °C
GBERR VBUS 电压增益误差 ±0.01 ±0.05 %
GB_DRFT VBUS 电压增益误差偏移 ±20 ppm/ °C
PTME 功率总测量误差 (TME) TA = –40°C 至 +125°C，处于满量程 ±0.5 %
ETME 电能和电荷 TME 在满量程功率下 ±1 %
ADC 分辨率 20 位
1 个最低有效位 (LSB) 阶跃幅度 分流电压，ADCRANGE = 0 312.5 nV
分流电压，ADCRANGE = 1 78.125 nV
总线电压 195.3125 µV
温度 7.8125 m°C
TCT ADC 转换时间(1) 转换时间字段 = 0h  50 µs
转换时间字段 = 1h  84
转换时间字段 = 2h  150
转换时间字段 = 3h  280
转换时间字段 = 4h  540
转换时间字段 = 5h 1052
转换时间字段 = 6h 2074
转换时间字段 = 7h  4120
INL 积分非线性 ±2 m%
DNL 差分非线性 0.2 LSB
时钟源
FOSC 内部振荡器频率 1 MHz
FOSC_TOL 内部振荡器频率容限 TA = 25°C ±0.5 %
TA=-40°C 至 +125°C ±1 %
温度传感器
测量范围 -40 +125 °C
温度精度 TA = 25°C ±0.15 ±1 °C
TA = -40°C 至 +125°C ±0.2 ±2 °C
电源
VS 电源电压 2.7 5.5 V
IQ 静态电流 VSENSE = 0V 640 750 µA
VSENSE = 0V，TA = –40°C 至 +125°C 1.1 mA
IQSD 静态电流，关断 关断模式 2.8 5 µA
TPOR 器件启动时间 加电 (NPOR) 300 µs
从关断模式 60
数字输入/输出
VIH 逻辑输入电平，高 SDA、SCL 1.2 5.5 V
VIL 逻辑输入电平，低 GND 0.4 V
VOL 逻辑输出电平，低 IOL = 3mA GND 0.4 V
IIO_LEAK 数字泄漏输入电流 0 ≤ VIN ≤ VS -1 1 µA
(1) 取决于振荡器精度和偏移
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