ZHCSNN5D may   2021  – august 2023 INA236

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议的工作条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求 (I2C)
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能模块图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 集成式模数转换器 (ADC)
      2. 7.3.2 功率计算
      3. 7.3.3 低偏置电流
      4. 7.3.4 低压电源和宽共模电压范围
      5. 7.3.5 ALERT 引脚
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 连续运行与触发运行
      2. 7.4.2 器件关断
      3. 7.4.3 上电复位
      4. 7.4.4 取平均值操作和转换时间考虑
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
      2. 7.5.2 通过 I2C 串行接口写入和读取
      3. 7.5.3 高速 I2C 模式
      4. 7.5.4 通用广播复位
      5. 7.5.5 通用广播开始字节
      6. 7.5.6 SMBus 警报响应
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 器件寄存器
  9. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 器件测量范围和分辨率
      2. 8.1.2 电流和功率计算
      3. 8.1.3 ADC 输出数据速率和噪声性能
      4. 8.1.4 滤波和输入考虑
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 选择分流电阻
        2. 8.2.2.2 配置器件
        3. 8.2.2.3 对分流校准寄存器进行编程
        4. 8.2.2.4 设置所需的故障阈值
        5. 8.2.2.5 计算返回值
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DDF|8
  • YBJ|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

在 TA = 25°C，VS = 3.3V，VSENSE = VIN+ - VIN- = 0mV，VIN- = VBUS = 12V 时测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
CMRR 共模抑制 VCM = –0.3V 至 48V，TA = –40°C 至 125°C 136 150 dB
采样电阻电压输入范围 ADCRANGE = 0 -81.9175 81.92 mV
ADCRANGE = 1 -20.4794 20.48 mV
Vos 采样电阻失调电压 VCM = 12V ±1 ±5 µV
dVos/dT 采样电阻失调电压偏移 TA=-40°C 至 +125°C ±5 ±25 nV/°C
Vos_b IN- 总线失调电压 ±1 ±7.5 mV
dVos_b/dT IN- 总线失调电压温漂 TA = -40°C 至 +125°C ±10 ±30 µV/°C
PSRRSHUNT 电源抑制比
（电流测量）		 VS = 1.7V 至 5.5V，TA = -40°C 至 125°C ±0.5 ±2.5 µV/V
PSRRBUS 电源抑制比
（电压测量）		 VS = 1.7V 至 5.5V，TA = –40°C 至 125°C， VIN- = 50mV ±0.5 ±2.5 mV/V
ZIN- IN- 输入阻抗 总线电压测量模式 1.05 MΩ
IB_SHDWN 输入泄漏 IN+、IN-、关断模式 0.1 5 nA
IB 输入偏置电流 IN+、IN-、电流测量模式 0.1 10 nA
直流精度
RDIFF 差分输入阻抗
（IN+ 至 IN-）		 分流或电流测量模式，VIN+ - VIN- < 82mV  140 kΩ
ADC 分辨率 TA = –40°C 至 125°C 16 位
1 个最低有效位 (LSB) 阶跃幅度 采样电阻电压，ADCRANGE = 0 2.5 µV
采样电阻电压，ADCRANGE = 1 625 nV
总线电压 1.6 mV
ADC 转换时间
（TA = –40°C 至 125°C）		 CT 位 = 000 133 140 147 µs
CT 位 = 001 194 204 214 µs
CT 位 = 010 315 332 349 µs
CT 位 = 011 559 588 617 µs
CT 位 = 100 1.045 1.100 1.155 ms
CT 位 = 101 2.01 2.116 2.222 ms
CT 位 = 110 3.948 4.156 4.364 ms
CT 位 = 111 7.832 8.244 8.656 ms
GSERR 采样电阻电压增益误差 ±0.015 ±0.1 %
GS_DRFT 采样电阻电压增益误差偏移 TA = –40°C 至 +125°C 30 ppm/°C
GBERR VIN- 电压增益误差 ±0.015 ±0.1 %
GB_DRFT VIN- 电压增益误差温漂 TA = –40°C 至 +125°C 30 ppm/°C
INL 积分非线性 ADCRANGE = 0，线性最佳拟合，
TA = –40°C 至 +125°C		 ±1.5 ±6 m%
DNL 差分非线性 ±0.1 LSB
电源
IQ 静态电流 VSENSE = 0mV 300 380 µA
IQ 与温度间的关系，TA = –40°C 至 +125°C 500 µA
关断 2.2 3 µA
VPOR 加电复位阈值 VS 下降 0.95 V
SMBUS
SMBUS 超时 28 35 ms
数字输入/输出
输入电容 3 pF
VIH 逻辑输入电平，高 VS = 1.7V 至 5.5V，TA = -40°C 至 +125°C 0.9 5.5 V
VIL 逻辑输入电平，低 VS = 1.7V 至 5.5V，TA = -40°C 至 +125°C 0 0.4 V
VHYS Hysteresis 130 mV
VOL 逻辑输出电平，低 IOL = 3mA，VS = 1.7V 至 5.5V，TA = –40°C 至 +125°C 0 0.3 V
数字泄漏输入电流 0 ≤ VINPUT ≤ VS  -1 1 µA
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