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ZHCSPA3C november 2021 – may 2023 INA350

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DSG|8
- MPDS308C
RUG|10
- MPQF216A
DDF|8
- MPDS569D

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

DSG|8
- QFND141I

订购信息

7.5 电气特性

对于 V_S = (V+) – (V–) = 1.8V 至 5.5V（±0.9V 至 ±2.75V）（T_A = 25°C），V_REF = V_S/2，G = 10、20、30 和 50，R_L = 10kΩ 连接至 V_S/2，V_CM = [(V_IN+) + (V_IN–)]/2 = V_S/2，V_IN = (V_IN+) – (V_IN–) = 0V 且 V_OUT = V_S/2（除非另有说明）

参数		测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
输入
V_OSI	失调电压，RTI⁽¹⁾	V_S = 5.5V	T_A = 25°C		±0.2	±1.2	mV
V_OSI	输入失调电压随温度变化的情况，RTI⁽¹⁾	V_S = 5.5V	T_A = –40°C 至 125°C			±1.3	mV
V_OSI	失调电压温漂，RTI⁽²⁾	V_S = 5.5V	T_A = –40°C 至 125°C		±0.6		µV/°C
PSRR	电源抑制比		T_A = 25°C		20	75	µV/V
Z_IN-DM	差分阻抗				100 \|\| 5		GΩ \|\| pF
Z_IN-CM	共模阻抗				100 \|\| 9		GΩ \|\| pF
V_CM	输入级共模范围⁽³⁾			(V–)		(V+)	V
CMRR DC	共模抑制比，RTI	V_CM = (V–) + 0.1V 至 (V+) – 1V，高 CMRR 区域	V_S = 5.5V，V_REF = V_S/2	85	95		dB
CMRR DC	共模抑制比，RTI	V_CM = (V–) + 0.1V 至 (V+) – 1V，高 CMRR 区域	V_S = 3.3V，V_REF = V_S/2		94		dB
CMRR DC	共模抑制比，RTI	V_CM = (V–) + 0.1V 至 (V+) – 0.1V	V_S = 5.5V，V_REF = V_S/2	62	75		dB
偏置电流
I_B	输入偏置电流	V_CM = V_S/2			±0.65		pA
I_OS	输入失调电流	V_CM = V_S/2			±0.25		pA
噪声电压
e_NI	输入参考电压噪声密度⁽⁵⁾		f = 1kHz		36		nV/√Hz
e_NI	输入参考电压噪声密度⁽⁵⁾		f = 10kHz		34		nV/√Hz
E_NI	输入参考电压噪声⁽⁵⁾	f_B = 0.1Hz 至 10Hz			3.2		µV_PP
i_n	输入电流噪声	f = 1kHz	f = 1kHz		22		fA/√Hz
增益
GE	增益误差⁽⁴⁾	G = 10，V_REF = V_S/2	V_O = (V–) + 0.1V 至 (V+) – 0.1V		±0.05	±0.50	%
	增益误差⁽⁴⁾	G = 20，V_REF = V_S/2			±0.06	±0.60
	增益误差⁽⁴⁾	G = 30，V_REF = V_S/2			±0.075	±0.60
	增益误差⁽⁴⁾	G = 50，V_REF = V_S/2			±0.082	±0.60
输出
V_OH	正电源轨余量	R_L = 10kΩ 至 V_S/2			15	30	mV
V_OL	负电源轨余量	R_L = 10kΩ 至 V_S/2			15	30	mV
C_L 驱动	负载电容驱动	V_O = 100mV 阶跃，过冲 < 20%			500		pF
Z_O	闭环输出阻抗	f = 10kHz			51		Ω
I_SC	短路电流	V_S = 5.5V			±20		mA
频率响应
BW	带宽，–3dB	G = 10	V_IN = 10mV_pk-pk		100		kHz
	带宽，–3dB	G = 20			50
	带宽，–3dB	G = 30			40
	带宽，–3dB	G = 50			25
THD + N	总谐波失真 + 噪声	V_S = 5.5V，V_CM = 2.75V，V_O = 1V_RMS，G = 10，R_L = 100kΩ ƒ = 1kHz，80kHz 测量 BW			0.04		%
THD + N	总谐波失真 + 噪声	V_S = 5.5V，V_CM = 2.75V，V_O = 1V_RMS，G = 50，R_L = 100kΩ ƒ = 1kHz，80kHz 测量 BW	V_S = 5.5V，V_CM = 2.75V，V_O = 1V_RMS，G = 50，R_L = 100kΩ ƒ = 1kHz，80kHz 测量 BW		0.15		%
EMIRR	电磁干扰抑制比	f = 1GHz，V_{IN_EMIRR} = 100mV			96		dB
SR	压摆率	V_S = 5V，V_O = 2V 阶跃			0.24		V/µs
t_S	建立时间	G = 10，达到 0.1%，V_S = 5.5V，V_STEP = 2V，C_L = 10pF			17		µs
		G = 10，达到 0.01%，V_S = 5.5V，V_STEP = 2V，C_L = 10pF			38
		G = 20，达到 0.1%，V_S = 5.5V，V_STEP = 2V，C_L = 10pF			20
		G = 20，达到 0.01%，V_S = 5.5V，V_STEP = 2V，C_L = 10pF			27
	建立时间	G = 30，达到 0.1%，V_S = 5.5V，V_STEP = 2V，C_L = 10pF			30
		G = 30，达到 0.01%，V_S = 5.5V，V_STEP = 2V，C_L = 10pF			57
		G = 50，达到 0.1%，V_S = 5.5V，V_STEP = 2V，C_L = 10pF			44
		G = 50，达到 0.01%，V_S = 5.5V，V_STEP = 2V，C_L = 10pF			85
	过载恢复	V_IN = 1V，G = 10			16		µs
	过载恢复	V_IN = 1V，G = 50	V_IN = 1V，G = 50		6.5		µs
参考输入
R_IN	输入阻抗				60		kΩ
	电压范围			(V–)		(V+)	V
	输出增益				1		V/V
	参考增益误差				±0.004		%
电源
V_S	电源电压	单电源		1.7		5.5	V
V_S	电源电压	双电源		±0.85		±2.75	V
I_Q	静态电流	V_IN = 0V			100	125	µA
I_Q	静态电流	T_A = –40°C 至 125°C				135	µA
I_QSD	每个放大器的静态电流	所有放大器均为禁用状态，SHDN = V–			0.70	1.25	µA
V_IL	逻辑低电平阈值电压（增益选择）	对于 INA350ABS，G = 10，对于 INA350CDS，G = 30				(V–) + 0.2 V	V
V_IH	逻辑高电平阈值电压（增益选择）	对于 INA350ABS，G = 20，对于 INA350CDS，G = 50		(V–) + 1V			V
t_ON	放大器启用时间（完全关断）⁽⁶⁾	V_CM = V_S/2，V_O = 0.9 × V_S/2， R_L 连接到 V–			100		µs
t_OFF	放大器禁用时间⁽⁶⁾	V_CM = V_S/2，V_O = 0.1 × V_S/2， R_L 连接到 V–			4		µs
	SHDN 引脚输入偏置电流（每个引脚）	(V+) ≥ SHDN ≥ (V–) + 1V			10		nA
	SHDN 引脚输入偏置电流（每个引脚）	(V–) ≤ SHDN ≤ (V–) + 0.2V			175		nA

(1) 总失调电压，以输入为参考 (RTI)：V_OS = (V_OSI) + (V_OSO/G)。

(2) 失调漂移具有不相关性。使用以下公式计算输入参考失调漂移：ΔV_OS(RTI) = √[ΔV_OSI² + (ΔV_OSO/ G)²]

(3) 输入共模电压范围仅为仪表放大器的输入级。整个 INA350x 输入范围取决于输入共模电压、差分电压、增益、参考电压和电源电压的组合。将向典型特性曲线添加更多信息。

(4) 最小值和最大值由特性指定。

(5) 总 RTI 电压噪声等于：e_N(RTI) = √[e_NI² + (e_NO/ G)²]

(6) 禁用时间 (t_OFF) 和启用时间 (t_ON) 是指施加给 SHDN 引脚的信号为 50% 时到输出电压达到 10%（禁用）或 90%（启用）电平时之间的时间间隔。