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ZHCSK75B August 2019 – April 2021 INA597

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

D|8
- MSOI002K
DGK|8
- MPDS028E
DRC|10
- MPDS117L

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

DRC|10
- QFND013N

订购信息

7.5 电气特性：G = 1/2

V_S = ±2.25V 至 ±18V，T_A= 25°C，V_CM = V_OUT = V_S/2，R_L = 10kΩ 接地，REF 引脚接地（除非另有说明）

参数		测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
失调电压 (RTO)
V_OS	输入失调电压	G = 1/2，RTO，T_A= 25°C，V_S = ±2.25V 至 3V，V_CM = –3V			±14	±200	µV
V_OS	输入失调电压	G = 1/2，RTO，T_A= 25°C，V_S = ±3V 至 ±18V，V_CM = V_S/2			±14	±200	µV
dV_OS/dT	输入失调电压漂移				±0.7	±5.0	µV/°C
PSRR	电源抑制比	V_S = ±3V 至 ±18V			±0.5	±5	µV/V
输入电压
V_CM	共模电压	V_OUT=0V		3[(V–)–0.1] –2V_REF		3(V+)–2V_REF	V
CMRR	共模抑制比	RTO，3 [(V−) – 0.1V)] ≤ V_CM ≤ 3 [(V+) – 3V]	T_A= 25°C	88	100		dB
		RTO，3 [(V−) – 0.1V)] ≤ V_CM ≤ 3 [(V+) – 3V]	T_A = –40°C 至 +125°C	82	90		dB
		RTO，3 [(V+) – 1.5V)]≤ V_CM≤ 3 [(V+))]	T_A= 25°C	88	100		dB
		RTO，3 [(V+) – 1.5V)]≤ V_CM≤ 3 [(V+))]	T_A = –40°C 至 +125°C	72	90		dB
输入阻抗
z_id	差分	V_O = 0V			24		kΩ
z_ic	共模				9		kΩ，
增益
G	初始				1/2		V/V
GE	增益误差	V_OUT = –10V 至 +10V，V_S = ±15V			±0.01	±0.03	%
	增益误差漂移⁽¹⁾				±0.2	±0.5	ppm/ °C
	增益非线性	V_OUT = -10V 至 +10V，V_S = ±15V			1		ppm
输出
V_O	输出电压摆幅	正电源轨			170	220	mV
V_O	输出电压摆幅	负电源轨			190	220	mV
I_SC	短路电流				±65		mA
噪声
V_n	输出电压噪声	f = 0.1Hz 至 10Hz，RTO			3		μVpp
V_n	输出电压噪声密度	f = 1kHz，RTO			18		nV/√Hz
频率响应
GBW	小信号带宽	振幅 = –3dB			2.0		MHz
SR	压摆率				18		V/µs
t_S	建立时间	达 0.1%	V_OUT = 10V 阶跃		1		µs
t_S	建立时间	达 0.01%	V_OUT = 10V 阶跃		1.3		µs
THD+N	总谐波失真 + 噪声	f = 1kHz，V_OUT = 2.8V_RMS			0.00038		%
THD+N	本底噪声，RTO	80kHz 带宽，V_OUT = 3.5V_RMS			–116		dB
t_DR	过载恢复时间				200		ns
电源
I_Q	静态电流	I_OUT = 0mA	T_A= 25°C		1.1	1.2	mA
I_Q	静态电流	I_OUT = 0mA	T_A = -40°C 至 +125°C			1.5	mA

(1) 通过晶圆测试指定至 95% 置信水平。