ZHCSI66B November   2020  – April 2021 INA849

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 可调增益设置
      2. 8.3.2 增益漂移
      3. 8.3.3 宽输入共模范围
    4. 8.4 器件功能模式
  9. 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 基准引脚
      2. 9.1.2 输入偏置电流返回路径
      3. 9.1.3 功率损耗引起的热效应
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 传感器调节电路
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
      2. 9.2.2 麦克风前置放大器电路中的幻象电源
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

功率损耗引起的热效应

INA849 在 ±15V 电源电压的静态条件下消耗约 200mW 的功率。内部电阻器网络和输出负载驱动会导致额外的功率损耗,具体取决于输入信号。INA849 的器件面积小,导致内部电路出现温度梯度,这可能会对电气性能产生不利影响。

器件中存在的这些热效应会影响精度参数,如失调电压、线性度、共模抑制比和总谐波失真。热梯度尤其影响具有更高增益 (> 10) 和较大输出电压变化的低频输入信号的性能。如图 9-5 的测量曲线所示,如果应用允许,可通过降低电源电压来最大限度地减少热效应。

图 9-5 G = 1000 时的线性度与电源电压间的关系