ZHCSIX1B
October 2018 – December 2018
INA901-SP
PRODUCTION DATA.
1
特性
2
应用
3
说明
Device Images
简化原理图
4
修订历史记录
5
Pin Configuration and Functions
Pin Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Quality Conformance Inspection
6.7
Typical Characteristics
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.3.1
Basic Connection
7.3.2
Selecting RS
7.3.3
Transient Protection
7.4
Device Functional Modes
7.4.1
First- or Second-Order Filtering
7.4.2
Accuracy Variations as a Result of VSENSE and Common-Mode Voltage
7.4.2.1
Normal Case 1: VSENSE ≥ 20 mV, VCM ≥ VS
7.4.2.2
Normal Case 2: VSENSE ≥ 20 mV, VCM < VS
7.4.2.3
Low VSENSE Case 1: VSENSE < 20 mV, –16 V ≤ VCM < 0; and Low VSENSE Case 3: VSENSE < 20 mV, VS < VCM ≤ 80 V
7.4.2.4
Low VSENSE Case 2: VSENSE < 20 mV, 0 V ≤ VCM ≤ VS
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
8.2.2
Detailed Design Procedure
8.2.3
Application Curves
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.1.1
RFI and EMI
10.2
Layout Example
11
器件和文档支持
11.1
文档支持
11.1.1
相关文档
11.2
接收文档更新通知
11.3
社区资源
11.4
商标
11.5
静电放电警告
11.6
术语表
12
机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
HKX|8
MCQF026B
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhcsix1b_oa
zhcsix1b_pm
1
特性
5962-1821001
在低剂量率下的耐辐射 (RHA) 剂量为
100krad (Si)
单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 下的
抗扰度可达 93MeV-cm
2
/mg
请参阅
辐射报告
符合军用级
温度范围要求(-55°C 至 125°C)
高性能 8 引脚
陶瓷扁平封装 (HKX)
宽共模范围:–15V 至 80V
CMRR:120dB
精度:
±0.5mV 的失调电压
±0.2% 增益误差
2.5μV/°C 的温漂
50ppm/°C 的增益漂移
带宽:高达 130kHz
增益:20V/V
静态电流:700μA
电源电压:2.7V 至 16V
可用于滤波
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