ZHCSSZ2J May 2008 – August 2023 ISO3080 , ISO3082 , ISO3086 , ISO3088
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|
| DW-16 | ||||
| CLR | 外部间隙(1) | 端子间的最短空间距离 | 8 | mm |
| CPG | 外部爬电距离(1) | 端子间的最短封装表面距离 | 8 | mm |
| DTI | 绝缘穿透距离 | 最小内部间隙 | 8 | um |
| CTI | 相对漏电起痕指数 | DIN EN 60112 (VDE 0303-11)；IEC 60112 | >400 | V |
| 材料组别 | 符合 IEC 60664-1 | II | ||
| 过压类别（符合 IEC 60664-1） | 额定市电电压 ≤ 150VRMS | I-IV | ||
| 额定市电电压 ≤ 300VRMS | I-III | |||
| DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) (2) | ||||
| VIORM | 最大重复峰值隔离电压 | 交流电压（双极） | 560 | VPK |
| VIOTM | 最大瞬态隔离电压 | VTEST = VIOTM， t = 60s（鉴定测试）； VTEST = 1.2 × VIOTM， t = 1s（100% 生产测试） |
4000 | VPK |
| qpd | 视在电荷(3) | 方法 b；常规测试（100% 生产测试） Vini = 1.2 x VIOTM，tini = 1s； Vpd(m) = 1.5 x VIORM，tm = 1s |
≤5 | pC |
| CIO | 势垒电容，输入至输出(4) | VIO = 0.4 x sin(2πft)，f = 1MHz | 2 | pF |
| CI | 接地输入电容 | VI = VCC/2 + 0.4×sin(2πft)，f = 1MHz，VCC = 5V | 2 | pF |
| RIO | 隔离电阻(4) | VIO = 500V，TA = 25°C | >1012 | Ω |
| VIO = 500V，TS = 150°C | >109 | |||
| 污染等级 | 2 | |||
| 气候类别 | 40/125/21 | |||
| UL 1577 | ||||
| VISO | 最大耐受隔离电压 | VTEST = VISO，t = 60s（鉴定测试）， VTEST = 1.2 x VISO，t = 1s（100% 生产测试） |
2500 | VRMS |