10 修订历史记录
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLF (January 2024)to RevisionG (October 2024)
- 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
- 更新了绝缘穿透距离,同时保持其他绝缘规格Go
- 更新了整个电气特性部分中 ENx 引脚的输入漏电流Go
- 更新了 TDDB 图和预计寿命Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLE (July 2023)to RevisionF (January 2024)
- 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
- 更新了热特性、安全限值和热降额曲线以提供更准确的系统级热计算Go
- 更新了电气和开关特性以匹配器件性能Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (October 2020)to RevisionE (July 2023)
- 将整个文档中的标准名称从“DIN VDE V 0884-11:2017-01”更改为“DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)”Go
- 通篇删除了所有标准名称中的标准版本和年份参考Go
- 根据 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 添加了最大脉冲电压 (VIMP) 规格Go
- 根据 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 更改了最大浪涌隔离电压 (VIOSM) 规格的测试条件和值Go
- 阐明了视在电荷 (qPD) 的方法 b 测试条件Go
- 通篇删除了对标准 IEC/EN/CSA 60950-1 的引用Go
- 切换了电源欠压阈值与自然通风温度间的关系 图例中 VCC1 下降和 VCC2 上升的标签Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (February 2020)to RevisionD (October 2020)
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (June 2018)to RevisionC (February 2020)
- 通篇进行了编辑性和修饰性更改Go
- 将“隔离栅寿命:超过 40 年”更改为“在 1500VRMS 工作电压下预计寿命超过 100 年”(位于节 1)Go
- 在节 1中添加了“隔离等级高达 5700VRMS”Go
- 在节 1中添加了“浪涌能力高达 12.8kV”Go
- 在节 1中添加了“在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护”Go
- 通篇将 VDE 标准名称从“DIN V VDE V 0884-11:2017-01”更改为“DIN VDE V 0884-11:2017-01”Go
- 删除了节 1中的“除 DBQ-16 封装器件的 CQC 认证外,所有认证均已完成”Go
- 更新了节 2部分的应用列表Go
- 更新了图 3-1,以便显示每个通道的两个串联隔离电容器,而不是单个隔离电容器Go
- 添加了“接触放电符合 IEC 61000-4-2 标准”的 ±8000V 规格 Go
- 为“数据速率”规格添加了以下表格注释:“尽管可以实现更高的数据速率,但最大指定数据速率为 100Mbps”Go
- 将 ISO7741-Q1 PD1 或“最大功耗(侧 1)”从 50mW 更改为 75mW,并将 PD2 或“最大功耗(侧 2)”从 150mW 更改为 125mW Go
- 将 VIORM 的 DW-16 封装值从 1414VPK 更改为 2121VPK,并将 VIOWM 从 1000VRMS 和 1414VDC 更改为 1500VRMS 和 2121VDC
Go
- 修改了 VIOWM 和 VIOSM 的测试条件Go
- 将表标题更新为“安全相关认证”并更新了认证信息Go
- 更正了节 7.4.1 中“输入 (ISO774xF)”原理图的接地符号Go
- 更新了图 8-1,将 CAN 收发器从将 SN65HVD231Q 更改为TCAN1042-Q1 并将变压器驱动器从SN6501-Q1 更改为SN6505x-Q1Go
- 在节 8.3部分中添加了 SN6505x-Q1 相关内容Go
- 在节 9.1部分中添加了如何通过隔离改善工业系统的 ESD、EFT 和浪涌抗扰性 应用报告Go
- 在节 9.1部分中添加了 SN6505x-Q1 数据表相关内容Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (May 2018)to RevisionB (June 2018)
- 将 DBQ 封装的隔离等级从 2500VRMS 更改为 3000VRMS
Go
- 将 HBM 和 CDM 值从特性 部分移至 ESD 等级 表Go
- 将 DBQ 封装的 VIOTM 从 3600VPK 更改为 4242VPK
Go
- 向最大瞬态隔离电压参数的条件添加了 VTEST
Go
- 更改了表观电荷的方法 b1 Vini 条件Go
- 将所有“计划进行认证”更改为“已认证”,并将所有“计划的认证”更改为正确的认证编号Go
- 在所有“电气特性”表中将 CMTI 典型值从 75kV/μs 更改为 100kV/μsGo
- 在所有“开关特性”表中,将 tDO 典型值从 6μs 更改为 0.1μs,并将最大值从 9μs 更改为 0.3μsGo
- 在图 5-14中交换了 2.5V 时 VCC 与 3.3V 时 VCC 所对应的线条颜色Go
- 切换了电源欠压阈值与自然通风温度间的关系 图例中 VCC1 下降和 VCC2 上升的标签Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (November 2016)to RevisionA (May 2018)
- 更新了“安全相关认证”表Go
- 在所有“电气特性”表中将 CMTI 最小值从 40 更改为 85Go