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ZHCST02D September 2023 – December 2024 ISOM8110 , ISOM8111 , ISOM8112 , ISOM8113 , ISOM8115 , ISOM8116 , ISOM8117 , ISOM8118

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DFH|4
- MPSS152B
DFG|4
- MPSS148B

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

6.8 开关特性

所有规格均在 T_A = 25℃ 时测得（除非另有说明）

参数		测试条件	GPN	典型值	最大值	单位
AC
t_r	上升时间，请参阅图 7-2 和图 7-3	V_CC = 10V，I_C = 2mA，R_L = 100Ω，C_L = 50pF	ISOM8110	3.2		μs
t_r	上升时间，请参阅图 7-2 和图 7-3	V_CC = 10V，I_C = 2mA，R_L = 100Ω，C_L = 50pF	ISOM8113	2.5		μs
t_f	下降时间，请参阅图 7-2 和图 7-3	V_CC = 10V，I_C = 2mA，R_L = 100Ω，C_L = 50pF	ISOM8110	4.0		μs
t_f	下降时间，请参阅图 7-2 和图 7-3	V_CC = 10V，I_C = 2mA，R_L = 100Ω，C_L = 50pF	ISOM8113	7.5		μs
T_ON	导通时间，请参阅图 7-2 和图 7-3	V_CC = 10V，I_C = 2mA，R_L = 100Ω，C_L = 50pF	ISOM8110、ISOM8115	5.7		μs
			ISOM8111、ISOM8116	4.5		μs
			ISOM8112、ISOM8117	6.2		μs
			ISOM8113、ISOM8118	16.7		μs
		V_CC=5V，R_L=4.7kΩ，I_F=1.6mA，C_L=50pF	ISOM8110、ISOM8115	3.5		μs
			ISOM8111、ISOM8116	2.7		μs
			ISOM8112、ISOM8117	2.1		μs
			ISOM8113、ISOM8118	1.8		μs
		V_CC=5V，R_L=1.9kΩ，I_F=16mA，C_L=50pF	ISOM8110、ISOM8115	0.62		μs
			ISOM8111、ISOM8116	0.56		μs
			ISOM8112、ISOM8117	0.48		μs
			ISOM8113、ISOM8118	0.44		μs
T_OFF	关断时间，请参阅图 7-2 和图 7-3	V_CC = 10V，I_C = 2mA，R_L = 100Ω，C_L = 50pF	ISOM8110、ISOM8115	3.6		μs
			ISOM8111、ISOM8116	3.7		μs
			ISOM8112、ISOM8117	3.1		μs
			ISOM8113、ISOM8118	2.7		μs
		V_CC=5V，R_L=4.7kΩ，I_F=1.6mA，C_L=50pF	ISOM8110、ISOM8115	8		μs
			ISOM8111、ISOM8116	9		μs
			ISOM8112、ISOM8117	11.5		μs
			ISOM8113、ISOM8118	13.5		μs
		V_CC=5V，R_L=1.9kΩ，I_F=16mA，C_L=50pF	ISOM8110、ISOM8115	10		μs
			ISOM8111、ISOM8116	11		μs
			ISOM8112、ISOM8117	12.3		μs
			ISOM8113、ISOM8118	14.5		μs
t_s	存储时间；输入开启再关闭时输出波形从 0% (100%) 变为 10% (90%) 所需的时间，请参阅图 7-3	V_CC = 5V，I_F = 1.6mA，R_L = 4.7kΩ	ISOM811x		21	μs
BW	带宽，请参阅图 7-4 和图 7-5	V_{IN_DC} = 5V，V_{IN_AC} = 1Vpk，R_IN = 2kΩ，V_CC = 5V，R_LOAD = 100Ω，C_L = 50pF，在 V_CE –3dB 正弦波处测量	ISOM811x	680		kHz