ZHCSNI5 May 2021 ISOS141-SEP
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 应用
- 3 说明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
-
6 Specifications
- 6.1 Absolute Maximum Ratings
- 6.2 ESD Ratings
- 6.3 Recommended Operating Conditions
- 6.4 Thermal Information
- 6.5 Power Ratings
- 6.6 Insulation Specifications
- 6.7 Safety-Related Certifications
- 6.8 Safety Limiting Values
- 6.9 Electrical Characteristics—5-V Supply
- 6.10 Supply Current Characteristics—5-V Supply
- 6.11 Electrical Characteristics—3.3-V Supply
- 6.12 Supply Current Characteristics—3.3-V Supply
- 6.13 Electrical Characteristics—2.5-V Supply
- 6.14 Supply Current Characteristics—2.5-V Supply
- 6.15 Switching Characteristics—5-V Supply
- 6.16 Switching Characteristics—3.3-V Supply
- 6.17 Switching Characteristics—2.5-V Supply
- 6.18 Insulation Characteristics Curves
- 6.19 Typical Characteristics
- 7 Operating Life Deration
- 8 Parameter Measurement Information
- 9 Detailed Description
- 10Application and Implementation
- 11Power Supply Recommendations
- 12Layout
- 13Device and Documentation Support
- 14Mechanical, Packaging, and Orderable Information
3 说明
ISOS141-SEP 抗辐射器件是采用小型 16 引脚 QSOP 封装的高性能四通道数字隔离器。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。该器件具有 100Mbps 的高数据速率、10.7ns 的低传播延迟和 4ns 的通道间严格偏移，支持近地轨道 (LEO) 航天应用。ISOS141-SEP 器件具有三个正向通道和一个反向通道，如果失去输入功率或信号，默认输出为低电平。使能引脚可用于将各输出置于高阻抗，适用于多主驱动应用，还可降低功耗。
ISOS141-SEP 在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 时，具有高电磁抗扰度和低辐射、低功耗特性。该器件具有 100kV/µs 的高共模瞬态抗扰度，可轻松缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题，还通过创新的芯片设计简化了辐射方面的合规性。
器件信息
| 器件型号 | 封装 | 封装尺寸（标称值） |
|---|---|---|
| ISOS141FDBQSEP 30krad(Si) RLAT/RHA | 16 引线 QSOP (DBQ) | 4.90mm × 3.90mm |
| ISOS141FDBQTSEP 30krad(Si) RLAT/RHA |
VCCI = 输入电源，VCC2 = 输出电源
GND1 = 输入接地，GND2 = 输出接地
简化原理图