ZHCSVR6 March 2024 ISOUSB211-Q1
ADVANCE INFORMATION
在图 8-6 所示的应用示例中,ISOUSB211-Q1 由连接器侧的 USB VBUS 和微控制器侧的本地 3.3V 数字电源供电来生成 V3P3Vx。内部 LDO 用于在两侧生成 V1P8Vx,就和示例配置 1 中一样。不过,VCC1 和 VCC2 并不像示例配置 1 中那样直接连接到 VBUS 和 3.3V VLV,而是分别通过电阻 R1(20Ω,250mW)和 R2(5Ω,50mW)进行连接。
外部电阻器会降低电压并耗散功率,有助于降低 ISOUSB211-Q1 内的功率损耗以及相应的温升。在决定这些电阻值时均牢记 VCCx 电压可能低至 2.4V。VCCx 引脚上需要额外的 1μF 电容。
在这种情况下,IC 内部两侧的总功耗合计为:
VBUS1 × IVBUS1 + VBUS1 × IVCC1 - 20 Ω × IVCC1× IVCC1+ V3P3V2 × I3P3V2 + V3P3V2 × IVCC2- 5 Ω × IVCC2× IVCC2
假设 VBUS 的最大值是 5.25V,并且 3.3V 本地电源的最大值是 3.5V,则内部功耗计算如下:
5.25V×13.5mA + 5.25V×96mA - 20Ω×96mA×96mA + 3.5V×13.5mA+3.5V×96mA - 5Ω×96mA×96mA = 728mW。
由于结至空气热阻为 44.2°C/W,此功率损耗会导致 33°C 的内部温升。此配置可支持高达 117°C 的环境温度。
此配置在示例配置 1 和示例配置 2 之间提供了一个中间途径,能够实现更低的温升和更高的环境温度运行,同时只需增加两个电阻器和两个电容器。