ZHCSVR6 March 2024 ISOUSB211-Q1
ADVANCE INFORMATION
去耦电容器根据电源建议部分中提供的建议放置在 ISOUSB211-Q1 旁边。请注意,USB 标准要求,对于外设,VBUS 上的总电容值(包括通过隔离式直流/直流转换器从次级侧反射的任何去耦电容)必须小于 10μF。但是,建议在 VBUS 上总共使用至少 5µF 的电容。建议在 VBUS 连接器附近使用 100nF 电容器来处理瞬态电流。
可以在 D+ 和 D- 线路上放置具有低电容和低动态电阻的 ESD 二极管,例如 PESD5V0C1USF。可以选择在连接器的 VBUS 引脚与 ISOUSB211-Q1 的 VBUS 引脚之间放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠(如图中所示),来抑制 ESD 等瞬变。