建议在非常靠近 V_3P3Vx 引脚的地方放置 0.1µF 电容器并连接到 GNDx。建议在非常靠近 V_BUSx 引脚的地方放置 1µF 电容器并连接到 GNDx。建议分别在 V_1P8Vx 与 GNDx 之间、引脚 4 和 3 之间、引脚 25 和 26 之间、引脚 11 和 12 之间，以及引脚 25 和 26 之间放置 2µF、0.1µF 和 10nF 电容器，并尽可能靠近器件。值越小的电容器越要靠近 IC 放置。如果 V_CCx 引脚按照示例配置 3 中所示通过电阻器连接，则建议在 V_CCx（引脚 5、24）与 GNDx（引脚 3、26）之间尽可能靠近器件放置 1µF 电容器，并且 V_1P8Vx 引脚上的电容器具有更高的优先级。

这些去耦电容器建议与 3.3V 和 1.8V 电源是从外部提供还是使用内部 LDO 生成无关。

有关去耦电容器的建议放置方式，请参阅节 8.5.1.1部分。建议使用小尺寸电容器 (0402/0201)，以便可以将它们放置在非常靠近电源引脚和顶层上相应接地引脚的位置，而不使用过孔。当考虑放置在靠近 IC 的位置时，V_1P8Vx 电源上的电容器具有更高的优先级。

在隔离主机/集线器或总线供电的外设时，需要使用隔离式电源，并可借助 TI 的 SN6505B 等变压器驱动器生成隔离式电源。适用于隔离式电源的 SN6505A 低噪声 1A 变压器驱动器 数据表中提供了此类设计、详细的电源设计以及变压器选择建议。如果在隔离主机/集线器时启用了 CDP 功能，则隔离式电源必须能够在 VBUS 上提供 1.5A 电流。