ZHCSVR6 March 2024 ISOUSB211-Q1
ADVANCE INFORMATION
8.5.1.1 布局示例
本部分中的布局示例显示了去耦电容器和 ESD 保护二极管的建议放置方式。建议在 D+/D- 信号布线下方使用连续的接地层。建议使用小尺寸电容器 (0402/0201)，以便可以将它们放置在非常靠近电源引脚和相应接地引脚的位置并使用顶层进行连接。去耦电容器与相应电源和接地引脚之间的布线路径上不应有任何过孔。当考虑放置在靠近 IC 的位置时，V1P8Vx 电源上的电容器具有更高的优先级。ESD 保护二极管应靠近连接器放置，并与接地层牢固连接。 Pins 4 and 11 for V1P8V1 and pins 18 and 25 for V1P8V2 are connected together, but this connection is after the de-coupling capacitors. If more than 2 layers are available in the PCB, this connection should be made in an inner or bottom layer (ex. Layer 3 or 4) so as to not interrupt the ground plane under the D+/D- traces. 所示的示例适用于隔离式主机或集线器，但类似的注意事项也适用于隔离式外设。VBUS 上的 120μF 电容器仅适用于主机或集线器，而不应用于外设。可以选择在 VBUS 布线上的 100nF（和 120μF）电容器之后放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠，以防止 ESD 等瞬变影响电路的其余部分。
图 8-9 ISOUSB211-Q1 布局示例.
为了获得理想性能，建议尽量缩短从 MCU 到 ISOUSB211-Q1，以及从 ISOUSB211-Q1 到连接器的 D+/D- 电路板布线长度。必须避免 D+/D- 线路上的过孔和残桩。这对于高速操作尤其重要。
可将一个小平面（例如 2mm x 2mm）连接到顶层的 GND 引脚以提高热性能。通过多个过孔将此层连接到第二层的接地层。
图 8-9 ISOUSB211-Q1 布局示例.