图 8-2 展示了一个采用 ISOUSB211-Q1 隔离自供电外设的应用。在此示例中，在微控制器侧，V_3P3V2 和 V_bus2 一起连接到一个外部 3.3V 电源。V_1P8V2 电源是使用内部 1.8V LDO 通过为 V_CC1 提供 3.3V 电源来生成的。在连接器侧，来自 USB 连接器的 VBUS 连接至 V_BUS1，而 V_3P3V1 电源由内部 3.3V LDO 生成。V_CC1 和 V_1P8V1 一起连接到源自 VBUS 的 1.8V 外部电源。请参阅散热注意事项，以了解有关根据需要优化 ISOUSB211-Q1 内部功耗的选项。

去耦电容器根据电源建议部分中提供的建议放置在 ISOUSB211-Q1 旁边。请注意，USB 标准要求，对于外设，VBUS 上的总电容值必须小于 10μF。但是，建议在 VBUS 上总共使用至少 5µF 的电容。建议在 VBUS 引脚附近使用 100nF 电容器来处理瞬态电流。

可以在 D+ 和 D- 线路上放置具有低电容和低动态电阻的 ESD 二极管，例如 PESD5V0C1USF。可以选择在连接器的 VBUS 引脚与 ISOUSB211-Q1 的 V_BUS 引脚之间放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠（如图中所示），来抑制 ESD 等瞬变。