ZHCSLW9 November 2022 ISOW7741-Q1 , ISOW7742-Q1
PRODUCTION DATA
电源转换器可在 –40°C 至 +125°C 的宽工作环境温度范围内高效运行。该器件提供改进的发射性能,简化了电路板设计,并提供了铁氧体磁珠以进一步衰减发射。ISOW7741-Q1 和 ISOW7742-Q1 设计时考虑了增强的保护功能,包括软启动来限制浪涌电流、过压和欠压锁定、EN/FLT 引脚上的故障检测、过载和短路保护以及热关机。
ISOW7741-Q1 和 ISOW7742-Q1 器件提供高电磁抗扰度,同时隔离 CMOS 或低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 。该信号隔离通道具有逻辑输入和输出缓冲器,由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅隔开,而电源隔离则采用由薄膜聚合物隔开的片上变压器作为绝缘材料。如果输入信号丢失,则不具有 F 后缀的 ISOW7741-Q1 和 ISOW7742-Q1 器件默认输出高电平,具有 F 后缀的 ISOW7741F-Q1 和 ISOW7742-Q1 器件默认输出低电平。通过在PCB上将VIO 和 VDD连接在一起,ISOW774x-Q1 可在 3V 至 5.5V 的单一电源下运行。如果需要较低的逻辑电平,这些器件支持 1.71V 至 5.5V 逻辑电源 (VIO),该电源独立于 3V 至 5.5V 的电源转换器电源 (VDD) 。VISOIN 和 VISOOUT 需要通过铁氧体磁珠或通过 LDO 馈电连接到电路板。
这些器件有助于防止数据总线(例如,CAN 和 LIN)或者其他电路上的噪声电流进入本地接地以及干扰或损坏敏感电路。通过创新的芯片设计和布线技术,该器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD、EFT 、浪涌和辐射合规性。器件采用 20 引脚 SOIC 宽体 (SOIC-WB) DFM 封装。