ZHCSG29G March 2017 – August 2021 ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844
PRODUCTION DATA
在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 时，ISOW784x 系列器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。该信号隔离通道具有逻辑输入和输出缓冲器，由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅隔开，而电源隔离使用片上变压器，采用薄膜聚合物作为绝缘材料进行隔离。提供各种正向和反向通道配置。如果输入信号丢失，不带 F 后缀的 ISOW784x 器件默认输出高电平，而带有 F 后缀的器件默认输出低电平（请参阅 VSI 和 VSO 可为 VCC 或 VISO，具体取决于通道方向）。
这些器件有助于防止数据总线（例如，RS-485、RS-232 和 CAN）或者其他电路上的噪声电流进入本地接地端以及干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术，该器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。电源转换器效率较高，因而能够在较高的环境温度下工作。器件采用 16 引脚 SOIC 宽体 (SOIC-WB) DWE 封装。