ZHCSG29G March 2017 – August 2021 ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844
PRODUCTION DATA
若要使用此器件进行设计,请使用表 10-1中列出的参数。
参数 | 值 |
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输入电压 | 3V 至 5.5V |
VCC 和 GND1 之间的去耦电容器 | 0.1 µF 至 10 µF |
VISO 和 GND2 之间的去耦电容器 | 0.1 µF 至 10 µF |
流过 ISOW7841 器件 VCC 和 VISO 电源的电流很大,因此通常去耦电容器越大,器件的噪声和纹波性能就越出色。尽管 10 µF 的电容器就足够了,但强烈建议在 VCC 和 VISO 引脚与相应接地端之间使用更大的去耦电容器(例如 47 µF),以实现最佳性能。