ISOW784x 系列器件采用内部振荡器降低辐射方案和先进的内部布局方案，从而最大限度地减小系统级辐射发射。

恶劣工业环境中的很多应用都对静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT)、浪涌和电磁辐射等干扰非常敏感。IEC 61000-4-x 和 CISPR 22 等国际标准对这些电磁干扰进行了规定。尽管系统级性能和可靠性在很大程度上取决于应用板设计和布局，但 ISOW784x 系列器件包含很多芯片级设计改进来增强整体系统稳健性。其中的一些改进包括：

• 输入和输出信号引脚以及芯片间接合焊盘具有可靠的 ESD 保护单元。
• ESD 单元与电源和接地引脚之间采用低电阻连接。
• 高压隔离电容器具有增强性能，能够更好地耐受 ESD、EFT 和浪涌事件。
• 片上去耦电容器更大，可通过低阻抗路径旁路不良的高能信号。
• PMOS 和 NMOS 器件通过防护环互相隔离，从而避免触发寄生 SCR。
• 通过确保纯差分内部运行，减少隔离栅上的共模电流。