1.2V RF LDO、1.2V SRAM LDO 和 1.0V RF LDO 需要两个典型值为 10μF 和 2.2μF 的去耦电容器。

图 7-5 输出路径不同部分提供的寄生电容（适用于两个电容器）

输出路径的不同部分提供的寄生电阻/电容/电感如图 7-5 所示。如图所示，输出路径可分为四个部分：

焊球到第一个电容器：“RT1”和“LT1”是焊球到第一个电容器引线提供的寄生电阻和电感。

沿第一个电容器：“ESL1”和“ESR1”是第一个去耦电容器的有效串联电感和电阻。“RT2”和“LT2”分别是第一个电容器接地布线的接地布线电阻和电感。

第一个电容器引线连接到第二个电容器引线：“RTC2C”和“LTC2C”是两个电容器之间布线的电阻和电感。

沿第二个电容器：“ESL2”和“ESR2”是第二个去耦电容器的有效串联电感和电阻。“RT3”和“LT3”分别是第二个电容器接地布线的接地布线电阻和电感。