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ZHCSQ65B February 2023 – September 2023 LM2005

PRODUCTION DATA

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

为实现正常运行，自举电容器必须确保 V_BST-SH 电压高于 UVLO 阈值。使用方程式 1 来计算自举电容器允许的最大压降。

方程式 1.

∆ V_{B S T} = V_{G V D D} - V_{D H} - V_{B S T L} = 12 V - 2.1 V - 8.05 V = 1.85 V

其中

然后，通过方程式 2 估算每个开关周期所需的总电荷。

方程式 2.

Q_{T O T A) L} = Q_{G} + I_{B S T S} \times \frac{D_{M A X}}{f_{S W}} + \frac{I_{B S T}}{f_{S W}} = 17 n C + 33.3 μ A) \times \frac{0.95}{50 k H z} + \frac{150 μ A}{50 k H z} = 20 n C

其中

接下来，使用方程式 3 估算最小自举电容值。

方程式 3.

C_{B O O T (M I N)} = \frac{Q_{T O T A) L}}{{∆ V}_{B S T}} = \frac{20 n C}{1.85 V} = 10.8 n F

实际应用中，C_Boot 电容值必须大于计算值，才能确保在功率级可能因负载瞬态而发生脉冲跳跃的情况下正常使用。方程式 4 可用于根据特定应用所需的最大自举电压纹波来估算建议的自举电容。

方程式 4.

C_{B O O T} > \frac{Q_{T O T A) L}}{{∆ V}_{B S T_R I P P L E}}

其中

TI 建议预留足够的裕度，并将自举电容尽可能靠近 BST 和 SH 引脚放置。

方程式 5. C_BOOT = 100nF

一般而言，本地 V_GVDD 旁路电容必须比 C_BOOT 的值大 10 倍，如方程式 6 所示。

方程式 6. C_GVDD = 1µF

自举电容器和偏置电容器必须是具有 X7R 电介质的陶瓷型电容器。一旦器件上具有直流偏置电压，考虑到电容容差，额定电压必须是最大 V_GVDD 的两倍，以确保长期可靠性。