ZHCSQ65B February 2023 – September 2023 LM2005
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
引脚 | 说明 | |||
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编号(1) | 名称 | 类型(2) | ||
1 |
GVDD |
P | 栅极驱动器正电源轨。使用尽可能靠近 IC 的低 ESR 和 ESL 电容器在本地进行去耦(接地)。 | |
2 |
INH |
I | 高侧控制输入。INH 输入与 TTL 和 CMOS 输入阈值兼容。未使用的 INH 输入必须接地,而不是保留开路。 | |
3 | INL | I | 低侧控制输入。INL 输入与 TTL 和 CMOS 输入阈值兼容。未使用的 INL 输入必须接地,而不是保留开路。 | |
4 |
GND |
G | 接地。所有信号都以此接地为基准。 | |
5 | GL | O | 低边栅极驱动器输出。连接到低侧 MOSFET 的栅极或外部栅极电阻的一端(使用时)。 | |
6 | SH | P | 高侧源极连接。连接到自举电容器的负端子和高侧 MOSFET 的源极。 | |
7 | GH | O | 高边栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极或外部栅极电阻的一端(使用时)。 | |
8 | BST | P | 高侧栅极驱动器正电源轨。将自举电容器的正极端子连接到 BST,并将自举电容器的负极端子连接到 SH。自举电容器必须尽可能靠近 IC 放置。 |