ZHCSQ65B February   2023  – September 2023 LM2005

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 启动和 UVLO
      2. 7.3.2 输入级
      3. 7.3.3 电平转换
      4. 7.3.4 输出级
      5. 7.3.5 低于接地电压的 SH 瞬态电压
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 选择自举和 GVDD 电容器
        2. 8.2.2.2 选择外部栅极驱动器电阻器
        3. 8.2.2.3 估算驱动器功率损耗
      3. 8.2.3 应用曲线
  10. 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方米6体育平台手机版_好二三四免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
  • DSG|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

引脚配置和功能

GUID-20230121-SS0I-ZPCP-TLTT-0XQ00XH8P7MV-low.svg 图 5-1 D 封装,8 引脚 SOIC(顶视图)
GUID-20230121-SS0I-BSHH-GSQX-G520RKBQ7J9M-low.svg图 5-2 DSG 封装,8 引脚 WSON(顶视图)
表 5-1 引脚功能
引脚 说明
编号(1) 名称 类型(2)
1

GVDD

P 栅极驱动器正电源轨。使用尽可能靠近 IC 的低 ESR 和 ESL 电容器在本地进行去耦(接地)。
2

INH

I 高侧控制输入。INH 输入与 TTL 和 CMOS 输入阈值兼容。未使用的 INH 输入必须接地,而不是保留开路。
3 INL I 低侧控制输入。INL 输入与 TTL 和 CMOS 输入阈值兼容。未使用的 INL 输入必须接地,而不是保留开路。
4

GND

G 接地。所有信号都以此接地为基准。
5 GL O 低边栅极驱动器输出。连接到低侧 MOSFET 的栅极或外部栅极电阻的一端(使用时)。
6 SH P 高侧源极连接。连接到自举电容器的负端子和高侧 MOSFET 的源极。
7 GH O 高边栅极驱动器输出。连接到高侧 MOSFET 的栅极或外部栅极电阻的一端(使用时)。
8 BST P 高侧栅极驱动器正电源轨。将自举电容器的正极端子连接到 BST,并将自举电容器的负极端子连接到 SH。自举电容器必须尽可能靠近 IC 放置。
对于 8 引脚 WSON 封装,TI 建议将封装底部的外露焊盘焊接到 PCB 的接地层上,并且必须从封装下方延伸出接地层以改善散热。
G = 接地,I = 输入,O = 输出,P = 电源