在大多数应用中，外部低侧功率 MOSFET 的体二极管将 SH 节点钳制到接地。某些时候，在外部低侧 MOSFET 的体二极管钳制此摆幅之前，电路板电容和电感会导致 SH 节点在接地电位以下瞬态摆动几伏。只要不违反规范并且遵循本节中提到的条件，LM2005 中的 SH 引脚就能摆动到接地电位以下。

SH 的电势必须始终低于 GH。将 GH 拉至规定条件以下，可能会激活寄生晶体管，从而导致 BST 电源的电流过大。这样可能损坏器件。GL 和 GND 的关系也是如此。如有必要，可在 GH 和 SH 之间或 GL 和 GND 之间外接肖特基二极管，保护器件免受此类瞬变影响。为充分发挥作用，二极管应尽量靠近器件引脚。

为确保栅极驱动器器件正常运行，从 BST 到 SH 以及从 GVDD 到 GND 的低 ESR 旁路电容器至关重要。为充分减小串联电感，电容器应位于器件引线处。GL 和 GH 的峰值电流可能非常大。旁路电容器的任何串联电感都会在器件引线上引发电压振铃，为确保可靠运行，必须避免这种情况发生。