如果在电路板布局布线期间考虑不充分，就无法实现半桥栅极驱动器的卓越性能。强调了以下几点：
- 应在 GVDD 和 GND 引脚之间以及 BST 和 SH 引脚之间靠近 IC 的位置连接低 ESR 和低 ESL 电容器，从而在外部 MOSFET 导通时支持 GVDD 和 BST 消耗的高峰值电流。
- 为防止顶部 MOSFET 漏极出现大的电压瞬变，必须在 MOSFET 漏极和接地 (GND) 之间连接一个低 ESR 电解电容器和一个高质量陶瓷电容器。
- 为避免开关节点 (SH) 引脚上出现大型负瞬变，必须尽可能减小顶部 MOSFET 源极和底部 MOSFET（同步整流器）漏极之间的寄生电感。
- 接地注意事项：
- 设计接地连接的首要任务是将 MOSFET 栅极充放电的高峰值电流限制在尽量小的物理区域。这样将会降低环路电感，并更大限度地减少 MOSFET 栅极端子上的噪声问题。栅极驱动器必须尽可能靠近 MOSFET 放置。
- 第二个考虑因素是高电流路径，其中包括自举电容器、自举二极管、本地接地基准旁路电容器和低侧 MOSFET 体二极管。自举电容器由以接地为基准的 GVDD 旁路电容器通过自举二极管逐周期进行重新充电。重新充电发生在短时间隔内，需要高峰值电流。尽可能减小电路板上的环路长度和面积对于确保可靠运行至关重要。