高侧和低侧驱动器级均包含 UVLO 保护电路，该电路可监控电源电压 (V_GVDD) 和自举电容器电压 (V_BST-SH)。在电源电压足以导通外部 MOSFET 之前，UVLO 电路会抑制所有输出，在电源电压变化期间，内置 UVLO 迟滞可防止发生抖动。为器件的 GVDD 引脚施加电源电压时，在 V_GVDD 超过 UVLO 阈值（典型值为 8V）之前，两个输出都会保持低电平。无论 UVLO 条件如何，自举电容器 (V_BST–SH) 都仅禁用高侧输出 (GH)。