驱动器 IC 的总功率耗散可通过以下元件进行估算。

1. 方程式 11 所示为因静态电流 I_GVDD 和 I_BST 而产生的静态功率损耗 P_QC。
   方程式 11. P_QC = V_GVDD × I_GVDD + (V_GVDD – V_F) × I_BST = 12V × 0.43mA + (12V – 0.6V) × 0.15mA = 6.87mW
2. 方程式 12 所示为因高侧漏电流 I_BSTS 而产生的电平转换器损耗 P_IBSTS。
   方程式 12. P_IBSTS = V_BST × I_BSTS × D = 72V × 0.033mA × 0.95 = 2.26mW

   其中

   • D 是高侧开关占空比
3. 方程式 13 所示为因 FET 栅极电荷 Q_G 而产生的动态损耗 P_QG1&2。
   方程式 13. ${\mathrm{P}}_{\mathrm{Q}\mathrm{G}1\&2}=2\times {\mathrm{V}}_{\mathrm{G}\mathrm{V}\mathrm{D}\mathrm{D}}\times {\mathrm{Q}}_{\mathrm{G}}\times {\mathrm{f}}_{\mathrm{S}\mathrm{W}}\times \frac{{\mathrm{R}}_{\mathrm{G}\mathrm{D}\_\mathrm{R}}}{{\mathrm{R}}_{\mathrm{G}\mathrm{D}\_\mathrm{R}}+{\mathrm{R}}_{\mathrm{G}\mathrm{A}\mathrm{T}\mathrm{E}}+{\mathrm{R}}_{\mathrm{G}\mathrm{F}\mathrm{E}\mathrm{T}\_\mathrm{I}\mathrm{N}\mathrm{T}}}=\mathrm{ }2\times 12\mathrm{V}\times 17\mathrm{n}\mathrm{C}\times 50\mathrm{k}\mathrm{H}\mathrm{z}\times \frac{5.25\mathrm{\Omega }}{5.25\mathrm{\Omega }+4.7\mathrm{\Omega }+2.2\mathrm{\Omega }}=8.8\mathrm{m}\mathrm{W}$

   其中

   • Q_G = FET 栅极总电荷
   • f_SW = 开关频率
   • R_{GD_R} = 上拉和下拉电阻的平均值
   • R_GATE = 外部栅极驱动电阻
   • R_{GFET_INT} = 内部 FET 栅极电阻
4. 电平转换器动态损耗 P_LS，受高侧开关期间每个开关周期中所需的电平转换器电荷影响。为简化该示例，假设寄生电荷 Q_P 的值为 2.5nC，如方程式 14 所示。
   方程式 14. P_LS = V_BST × Q_P × f_SW = 72V × 2.5nC × 50kHz = 9mW

在此示例中，所有损耗总计 27mW，等于栅极驱动器的总损耗。对于带自举二极管的栅极驱动器，还应估算自举二极管内的损耗。二极管正向导通损耗等于平均正向压降与平均正向电流的乘积。

方程式 15 估算了器件在给定环境温度下允许的最大功率损耗。

其中

• P_MAX = 栅极驱动器器件允许的最大功率损耗
• T_J = 结温
• T_A = 环境温度
• R_θJA = 结至环境热阻

数据表的热性能信息 表中总结了驱动器封装的热指标。有关热性能信息表的详细信息，请参阅米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 应用手册半导体和 IC 封装热指标。