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ZHCSQ65B February 2023 – September 2023 LM2005

PRODUCTION DATA

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

D|8
DSG|8

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

6.5 电气特性

V_GVDD = V_BST = 12V，GND = V_SH = 0V，GL 或 GH 无负载，T_J = 25°C（除非另有说明）。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源电流
I_GVDD	GVDD 静态电流	V_INL = V_INH = 0V		430		μA
I_DDO	GVDD 工作电流	f = 50kHz，C_LOAD = 0		0.56		mA
I_BST	总 BST 静态电流	V_INL = V_INH = 0V，VDD = 12V		150		uA
I_BSTO	总 BST 工作电流	f = 50kHz，C_LOAD = 0		0.16		mA
I_BSTS	BST 至 GND 静态电流	V_SH = V_BST = 95V，GVDD = 12V		33.3		μA
I_BSTSO	BST 至 GND 工作电流	f = 50kHz，C_LOAD = 0		0.07		mA
输入
V_HIT	输入电压高电平阈值	-40°C 至 125°C		1.45	2	V
V_LIT	输入电压低电平阈值	-40°C 至 125°C	0.8	1.3		V
V_IHYS	输入电压迟滞			0.15		V
R_IN	输入下拉电阻	V_IN= 3V		200		kΩ
欠压保护 (UVLO)
V_GVDDR	GVDD 上升阈值	V_GVDDR= V_GVDD - GND，-40°C 至 125°C		8.15	8.75	V
V_GVDDF	GVDD 下降阈值	V_GVDDF= V_GVDD - GND，-40°C 至 125°C	6.75	7.7		V
V_DDHYS	GVDD 阈值迟滞			0.45		V
V_BSTR	VBST 上升阈值	V_BSTR= V_BST - V_SH，-40°C 至 125°C		7.6	8.5	V
V_BSTF	VBST 下降阈值	V_BSTR= V_BST - V_SH，-40°C 至 125°C	6.25	7.15		V
V_BSTHYS	VBST 阈值迟滞			0.45		V
自举二极管
V_F	低电流正向电压	I_BOOT = 100uA		0.6		V
V_FI	高电流正向电压	I_BOOT = 100mA		2.1		V
R_BOOT	自举动态电阻	I_BOOT = 100mA 和 80mA		12.5		Ω
LO 栅极驱动器
V_{GL_L}	低电平输出电压	I_GL = 100mA，V_{GL_L} = V_GL – GND		0.25		V
V_{GL_H}	高电平输出电压	I_GL = -100mA，V_{GL_H} = V_GVDD – V_GL		0.8		V
	峰值上拉电流⁽¹⁾	V_GL = 0V		0.5		A)
	峰值下拉电流⁽¹⁾	V_GL = 12V		0.8		A
HO 栅极驱动器
V_{GH_L}	低电平输出电压	I_GH = 100mA，V_{GH_L} = V_GH – V_SH		0.25		V
V_{GH_H}	高电平输出电压	I_GH = –100mA，V_{GH_H} = V_BST– V_GH		0.8		V
	峰值上拉电流⁽¹⁾	V_GH = 0V		0.5		A)
	峰值下拉电流⁽¹⁾	V_GH = 12V		0.8		A

(1) 未经量产测试的参数。