LM251772 具有四个内部逻辑电平 nMOS 栅极驱动器。这些驱动器可以维持降压/升压运行所需的两个半桥的高频开关。如果器件处于升压或降压模式，则另一个半桥高侧开关需要持久导通。内部栅极驱动器通过共享来自另一个正在开关的半桥的电流来实现该功能。因此，由于无需额外的电荷泵，可以提供最小的静态电流。由于具有高驱动电流能力，LM251772 可以支持各种外部功率 FET 并且可以并联运行这些 FET。

LO 和 HO 输出受击穿保护，可防止两个输出同时导通。如果降压/升压转换器的 PWM 调制逻辑将 LOx 引脚关闭，则在满足以下条件之前不会开启 HOx 引脚：

1. 达到最短内部转换时间 (t_t(dead))。
2. LOx 引脚上的电压降至检测阈值 V_TH(GATEOUT) 以下。

当 HOx 关闭而 LOx 开启时，这种行为是类似的。

栅极驱动器的高侧电源电压由一个额外的自举 UVLO 比较器进行监测。该比较器会监测 SWx 和 HBx 之间的差分电压。如果电压降至阈值以下，降压/升压转换器将关闭。在通过软启动方案达到正向阈值后，该器件会自动重新启动。

此外，LM251772 还会监测 SWx 和 HBx 之间的上限电压。如果该电压超过钳位电路的阈值电压，LM251772 会激活内部电流源来拉低电压。

死区时间值可由寄存器表 9-14 中的 SEL_SCALE_DT、SEL_MIN_DEADTIME_GDRV 进行控制。

如果在应用中未使用 I²C 接口，也可以通过 CFG-PIN（表 8-6）选择 SEL_SCALE_DT。如果启用，通常会将默认死区时间设置增加 15ns。

此外，可以让高侧和低侧之间的转换（死区）时间对频率具有可选的依赖性。这样可以解决硅 MOSFET Q_g 在具有低开关频率的高功率应用和具有高开关频率的低功耗应用中常见的差异。启用该选项后，当开关频率设置为更高时，死区时间会更短。可以使用寄存器表 9-14 中的寄存器 EN_CONST_TDEAD 启用或禁用频率依赖性。