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ZHCSX66 October 2024 LM251772

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RHA|40
- MPQF135D

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RHA|40
- QFND660

订购信息

10.2.2.10 MOSFET QH1 和 QL1

输入侧 MOSFET QH1 (Q1)和 QL1 (Q2) 需要承受 48V 的最大输入电压。此外，它们还必须承受开关期间 SW1 上的瞬态尖峰。因此，QH1 和 QL1 的额定电压必须为 58V 或更高。MOSFET 的栅极平坦电压必须小于转换器的最小输入电压，否则，MOSFET 在启动或过载情况下可能无法完全增强。

升压模式下 QH1 中的功率损耗根据以下公式进行近似计算：

方程式 49.

P_{COND (QH 1)} = {(I_{OUT} \times \frac{V_{OUT}}{V_{IN}})}^{2} \times R_{DS, On (QH 1)}

降压模式下 QH1 中的功率损耗分别由方程式 50 和方程式 51 给出的导通损耗和开关损耗分量组成：

方程式 50.

P_{COND (QH 1)} = {(I_{OUT} \times \frac{V_{OUT}}{V_{IN}})}^{2} \times R_{DS, On (QH 1)}

方程式 51.

P_{SW (QH 1)} = \frac{1}{2} \times V_{IN} \times I_{OUT} \times (t_{r} + t_{f}) \times f_{SW}

上升 (t_r) 和下降 (t_f) 时间基于 MOSFET 数据表信息或在实验室中进行测量。通常，R_DSON 较小（导通损耗较小）的 MOSFET 具有较长的上升和下降时间（开关损耗较大）。

降压运行模式下 QL1 中的功率损耗如方程式 52 所示：

方程式 52.

P_{COND (QL 1)} = (1 - \frac{V_{OUT}}{V_{IN}}) \times {I_{OUT}}^{2} \times R_{DS, On (QL 1)}