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ZHCSX66 October 2024 LM251772

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RHA|40
- MPQF135D

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RHA|40
- QFND660

订购信息

10.2.2.11 MOSFET QH2 和 QL2

输出侧 MOSFET QH2 (Q4) 和 QL2 (Q3) 会看到 48V 的输出电压以及开关期间 SW2 上出现的额外瞬态尖峰。因此，QH2 和 QL2 的额定电压必须为 58V 或更高。MOSFET 的栅极平坦电压必须小于转换器的最小输入电压，否则，MOSFET 在启动或过载情况下可能无法完全增强。

降压运行模式下 QH2 中的功率损耗根据以下公式进行近似计算：

方程式 53.

P_{COND (QH 2)} = {I_{OUT}}^{2} \times R_{DS, On (QH 2)}

升压运行模式下 QL2 中的功率损耗分别由以下两个公式给出的导通损耗和开关损耗分量组成：

方程式 54.

P_{COND (QL 2)} = (1 - \frac{V_{IN}}{V_{OUT}}) \times {(I_{OUT} \times \frac{V_{OUT}}{V_{IN}})}^{2} \times R_{DS, On (QL 2)}

和

方程式 55.

P_{SW (QL 2)} = \frac{1}{2} \times V_{OUT} \times (I_{OUT} \times \frac{V_{OUT}}{V_{IN}}) \times (t_{r} + t_{f}) \times f_{SW}

上升 (t_r) 和下降 (t_f) 时间可以基于 MOSFET 数据表信息或在实验室中进行测量。通常，R_DSON 较小（导通损耗较小）的 MOSFET 具有较长的上升和下降时间（开关损耗较大）。

升压运行模式下 QH2 中的功率损耗如下所示：

方程式 56.

P_{C O N D (Q H 2)} = \frac{V_{I N}}{V_{O U T}} \times {(I_{O U T} \times \frac{V_{O U T}}{V_{I N}})}^{2} \times R_{D S, O n (Q H 2)}