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ZHCSX66 October 2024 LM251772

PRODUCTION DATA

在此配置中，电流检测对器件的峰值电流限制具有内部反馈。ILIM 电路将 ILIMCOMP 电压调节至 V_(ISET)，并优先于电压环路调节。

只要 ISNSP 和 ISNSN 之间的差分电压超过 ILIM 电路的内部失调电压，峰值电流限值就会降低。可以通过寄存器编程或 ILIMCOMP 引脚中的 ISET 电阻器来设置 ILIM 阈值。

如果通过电阻器选择电流限制阈值，则在 V_(ISET) 增加至阈值电压（典型值为 1V）后，调节将优先于电压环路。ISET 的阈值电压可以使用以下公式进行计算：

方程式 15.

{V_{(ISET)} = (V_{(I S N S P)} - V_{(I S N S N)}) ∙ {g m}_{(ILIMCOMP)} ∙ R}_{(ILIMCOMP)}

因此，用于选择电流限制阈值电压的电阻值通过以下公式进行计算：

方程式 16.

R_{(I S E T)} = \frac{V_{(I S E T)}}{(V_{(I S N S P)} {- V_{(I S N S N)}) ∙ g m}_{(I L I M C O M P)}}

为实现高频噪声抑制，应将基于以下公式的电容器与 R_(ISET) 并联放置：

方程式 17.

C_{(I S E T)} = \frac{1}{π ∙ f_{(S W)} ∙ R_{(I S E T)}}

如果电流限制阈值由内部 DAC 进行编程，则可以通过 ILIMCOMP 引脚上的电阻器和电容器网络针对不同的负载来优化电流限制控制环路的带宽。可根据以下公式选择阻性负载的简单积分器补偿：

方程式 18.

C_{O 2} = \frac{5}{2 ∙ π ∙ f_{b w} ∙ R_{(L O A D)}}

其中 C_O2 是平均电流检测电阻 R_(SNS) 之后的电容

f_bw 是电压环路补偿的带宽（请参阅电压调节环路）

方程式 19.

C_{O 1} = C_{O} - C_{O 2}

其中 C_O 是由电压环路计算和应用电压纹波要求决定的总输出电容。

其中 C_O1 是平均电流检测电阻器 R_(SNS) 之前的电容

方程式 20.

f_{p} = \frac{1}{2 ∙ π ∙ R_{(S N S)} ∙ C_{O 2}}

方程式 21.

f_{b w i l i m} = {f_{p} ∙ 10}^{- 0.25}

方程式 22.

C_{(I L I M C O M P)} = \frac{{g m}_{(I L I M C O M P)}}{2 π ∙ f_{b w i l i m}}

图 8-21 具有阻性负载的电流限制元件简化版原理图

对于电子负载（CC 模式 CR 模式），可能需要采用 II 型补偿网络，以便适应所用电子负载的内部调节环路和带宽。有关更详细的优化信息，请参阅快速入门计算器工具。

如果通过电阻器而不是内部 DAC 来选择电流限制阈值，则在 V_(ISET) 增加至阈值电压（典型值为 1V）后，调节将优先于电压环路。ISET 的阈值电压可以使用以下公式进行计算：

方程式 23.

{V_{(ISET)} = (V_{(I S N S P)} - V_{(I S N S N)}) ∙ {g m}_{(ILIMCOMP)} ∙ R}_{(ISET)}

因此，用于选择电流限制阈值电压的电阻值通过以下公式进行计算：

方程式 24.

R_{(I S E T)} = \frac{V_{(I S E T)}}{(V_{(I S N S P)} {- V_{(I S N S N)}) ∙ g m}_{(I L I M C O M P)}}

为实现高频噪声抑制，应将基于以下公式的电容器与 R_(ISET) 并联放置：

方程式 25.

C_{(I S E T)} = \frac{1}{π ∙ f_{(S W)} ∙ R_{(I S E T)}}

“ILIM_THRESHOLD”控制寄存器的读取寄存器值被钳制在寄存器范围的下限和上限。