ZHCSX66 October   2024 LM251772

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 处理额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 参数测量信息
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  降压/升压控制方案
        1. 8.3.1.1 降压模式
        2. 8.3.1.2 升压模式
        3. 8.3.1.3 降压/升压模式
      2. 8.3.2  节能模式
      3. 8.3.3  参考系统
        1. 8.3.3.1 VIO LDO 和 nRST-PIN
      4. 8.3.4  电源电压选择 - VSMART 开关和选择逻辑
      5. 8.3.5  使能和欠压锁定
        1. 8.3.5.1 UVLO
      6. 8.3.6  内部 VCC 稳压器
        1. 8.3.6.1 VCC1 稳压器
        2. 8.3.6.2 VCC2 稳压器
      7. 8.3.7  误差放大器和控制
        1. 8.3.7.1 输出电压调节
        2. 8.3.7.2 输出电压反馈
        3. 8.3.7.3 电压调节环路
        4. 8.3.7.4 动态电压调节
      8. 8.3.8  输出电压放电
      9. 8.3.9  峰值电流传感器
      10. 8.3.10 短路 - 断续保护
      11. 8.3.11 电流监测器/限制器
        1. 8.3.11.1 概述
        2. 8.3.11.2 输出电流限制
        3. 8.3.11.3 输出电流监控器
      12. 8.3.12 振荡器频率选择
      13. 8.3.13 频率同步
      14. 8.3.14 输出电压跟踪
        1. 8.3.14.1 模拟电压跟踪
        2. 8.3.14.2 数字电压跟踪
      15. 8.3.15 斜率补偿
      16. 8.3.16 可配置软启动
      17. 8.3.17 驱动引脚
      18. 8.3.18 双随机展频 - DRSS
      19. 8.3.19 栅极驱动器
      20. 8.3.20 电缆压降补偿 (CDC)
      21. 8.3.21 CFG 引脚和 R2D 接口
      22. 8.3.22 高级监控功能
        1. 8.3.22.1  概述
        2. 8.3.22.2  BUSY
        3. 8.3.22.3  OFF
        4. 8.3.22.4  VOUT
        5. 8.3.22.5  IOUT
        6. 8.3.22.6  INPUT
        7. 8.3.22.7  TEMPERATURE
        8. 8.3.22.8  CML
        9. 8.3.22.9  其他
        10. 8.3.22.10 ILIM_OP
        11. 8.3.22.11 nFLT/nINT 引脚输出
        12. 8.3.22.12 状态字节
      23. 8.3.23 保护特性
        1. 8.3.23.1  热关断 (TSD)
        2. 8.3.23.2  过流保护
        3. 8.3.23.3  输出过压保护 1 (OVP1)
        4. 8.3.23.4  输出过压保护 2 (OVP2)
        5. 8.3.23.5  输入电压保护 (IVP)
        6. 8.3.23.6  输入电压调节 (IVR)
        7. 8.3.23.7  电源正常
        8. 8.3.23.8  自举欠压保护
        9. 8.3.23.9  自举过压钳位
        10. 8.3.23.10 CRC 校验
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 概述
      2. 8.4.2 逻辑状态说明
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 I2C 总线运行
      2. 8.5.2 时钟延展
      3. 8.5.3 数据传输格式
      4. 8.5.4 从定义的寄存器地址进行单次读取
      5. 8.5.5 从定义的寄存器地址开始进行顺序读取
      6. 8.5.6 对定义的寄存器地址进行单次写入
      7. 8.5.7 在定义的寄存器地址开始进行顺序写入
  10. LM251772 寄存器
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
        1. 10.2.2.1  使用 WEBENCH 工具创建定制设计方案
        2. 10.2.2.2  频率
        3. 10.2.2.3  反馈分压器
        4. 10.2.2.4  电感器和电流检测电阻器选型
        5. 10.2.2.5  输出电容器
        6. 10.2.2.6  输入电容器
        7. 10.2.2.7  斜率补偿
        8. 10.2.2.8  UVLO 分频器
        9. 10.2.2.9  软启动电容器
        10. 10.2.2.10 MOSFET QH1 和 QL1
        11. 10.2.2.11 MOSFET QH2 和 QL2
        12. 10.2.2.12 环路补偿
        13. 10.2.2.13 外部元件选型
      3. 10.2.3 应用曲线
    3. 10.3 无线充电电源
    4. 10.4 具有电源路径的 USB PD 源
    5. 10.5 并行(多相)运行
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

外部元件选型

表 10-3 典型应用的元件示例
参考说明器件型号备注
RCOMP7.15kΩ
CCOMP112nF、50V 陶瓷电容器
CCOMP2220pF、50V 陶瓷电容器
CSS20nF、50V 陶瓷电容器或 20nF、80V 陶瓷电容器
RFB,top82.0kΩ
RFB,bot4.3kΩ
RnFLT10kΩ
CILIMCOMP82kΩ
CIN12 个 10µF、100V 陶瓷电容器

C3225X7R2A106K250AC

CIN23 个 27μF、63V 铝电容器

A768KE276M1JLAE054

M1N 沟道 60V MOSFET,RDS(on) = 4.2mΩ

ISZ034N06LM5ATMA1

M2N 沟道 60V MOSFET,RDS(on) = 4.2mΩ

ISZ034N06LM5ATMA1

M3N 沟道 60V MOSFET,RDS(on) = 4.2mΩ

ISZ034N06LM5ATMA1

M4N 沟道 60V MOSFET,RDS(on) = 4.2mΩ

ISZ034N06LM5ATMA1

RCS

2.5mΩ

2xKRL2012E-M-R005-F-T5
L13.3μH,DCR = 5.7mΩXGL1060-332MEC
COUT16 个 10µF、100V 陶瓷电容器C3225X7R2A106K250AC
COUT2

2

个 100μF、63V 铝电容器

A768KE276M1JLAE054

RISNS10mΩKRL2012E-C-R010-F-T05
CBST10.1µF、50V 陶瓷电容器

GCM155R71H104KE02D

CBST20.1µF、50V 陶瓷电容器

GCM155R71H104KE02D

CVCC22µF、10V 陶瓷电容器GRT188R61A226ME13D
RUVLO,top75kΩ
RUVLO,bot

12.4kΩ

RSLOPE5.1kΩ
RCFG28.3kΩ
RRT51kΩ