ZHCSSD4 November 2023 LM25185-Q1
PRODUCTION DATA
当功率 MOSFET 关断时,变压器的漏感与 SW 节点寄生电容谐振。产生的振铃行为可能会过度(具有较大的变压器漏感),并可能破坏次级零电流检测。为了防止出现该情况,内部设置了 400ns 的最小开关关断时间(指定为 tOFF-MIN),以确保功能正常。
此外,功率 MOSFET 导通时产生的噪声效应会影响内部电流检测电路测量。为了降低该效应,LM25185-Q1 在 MOSFET 导通后提供消隐时间。该消隐时间强制实现 125ns 的最小导通时间 tON-MIN。