ZHCSSD5 November 2023 LM25185
PRODUCTION DATA
当功率 MOSFET 关断时，变压器的漏感与 SW 节点寄生电容谐振。产生的振铃行为可能会过度（具有较大的变压器漏感），并可能破坏次级零电流检测。为了防止出现该情况，内部设置了 400ns 的最小开关关断时间（指定为 tOFF-MIN），以确保功能正常。
此外，功率 MOSFET 导通时产生的噪声效应会影响内部电流检测电路测量。为了降低该效应，LM25185 在 MOSFET 导通后提供消隐时间。该消隐时间强制实现 125ns 的最小导通时间 tON-MIN。