LM3481-Q1 的驱动引脚 (DR) 必须连接至外部 MOSFET 的栅极。在升压拓扑中，外部 N 沟道 MOSFET 的漏极连接到电感器，而源极连接到地。驱动引脚电压 V_DR 取决于输入电压（请参阅节 5.6）。在大多数应用中，可以使用逻辑电平 MOSFET。对于极低的输入电压，应使用子逻辑电平 MOSFET。

所选的 MOSFET 直接控制效率。选择 MOSFET 的关键参数包括：

• 最小阈值电压 V_TH(MIN)
• 导通电阻 R_DS(ON)
• 总栅极电荷 Q_g
• 反向传输电容 C_RSS
• 最大漏源电压 V_DS(MAX)

MOSFET 的关断状态电压约等于输出电压。MOSFET 的 V_DS(MAX) 必须大于输出电压。MOSFET 中的功率损耗可分为导通损耗和交流开关损耗或转换损耗。需要 R_DS(ON) 来估算导通损耗。导通损耗 P_COND 是 MOSFET 上的 I²R 损耗。最大导通损耗由下式给出：

方程式 36.

其中，D_MAX 是最大占空比。

方程式 37.

在高开关频率下，开关损耗可能是总损耗的最大部分。

由于给定 MOSFET 在运行中的寄生效应发生变化，因此很难计算开关损耗。通常，各个 MOSFET 数据表没有提供足够的信息来得出有用的结果。方程式 38 和方程式 39 大致说明了如何计算开关损耗：

方程式 38.

方程式 39.