ZHCSTU4A March 2011 – October 2024 LM3481-Q1
PRODUCTION DATA
由于 LM3481-Q1 控制低侧 N 沟道 MOSFET,它也可用于 SEPIC(单端初级电感转换器)应用。图 7-7 展示了一个使用 LM3481-Q1 的 SEPIC 示例。如图 7-7 所示,输出电压可以高于或低于输入电压。SEPIC 使用两个电感器来升高或降低输入电压。电感器 L1 和 L2 可以是两个分立式电感器,也可以是一个耦合变压器的两个绕组,因为在整个开关周期内电感器上会施加相等的电压。使用两个分立式电感器允许使用目录中的磁性元件,而不是定制变压器。通过使用变压器的耦合绕组作为 L1 和 L2,可以减小输入纹波和尺寸。
由于输入端存在电感器 L1,SEPIC 继承了升压转换器的所有优势。与升压转换器相比,SEPIC 的一个主要优点是其固有的输入到输出隔离。电容器 CS 将输入与输出隔离,并针对负载短路或发生故障提供保护。因此,当需要真正关断时,SEPIC 可用于替换升压电路。这意味着当开关关闭时,输出电压会降至 0V。在升压转换器中,输出只能降到输入电压减去二极管压降。
SEPIC 的占空比由下式给出:
在方程式 43 中,VQ 是 MOSFET Q1 的导通状态电压,而 VDIODE 是二极管的正向压降。